[发明专利]一种检测高温腔体温度的方法

说明书

本发明公开了一种检测高温腔体温度的方法，在高温腔体内对选定的硅片进行指定温度的高温处理，其中指定温度包括依次设定的多个温度点，获得与各个所述温度点一一对应的所述硅片的Haze值，拟合得到高温腔体温度与所述硅片的Haze值的线性关系式一；对所述硅片进行抛光和清洗；在所述高温腔体内对抛光和清洗后的硅片再次进行指定温度的高温处理，得到高温腔体温度与抛光和清洗后的硅片的Haze值的线性关系式二；计算前后两次高温处理中同一温度点的Haze值的差值，并根据所述差值计算得到所述高温腔体的实际温度差值。本发明提高了高温腔体温度检测的效率与准确率，减少了硅片厚度、电阻率的波动；提高了硅片利用率，减少了成本。

技术领域

本发明涉及高温腔体温度测量领域，具体而言涉及检测高温腔体温度的方法。

背景技术

由于温度传感器的原理或性能受到限制，半导体高温反应腔体内的温度无法得到准确监控。

目前半导体领域比较多的高温温度传感器有两种，红外温度传感器(Pyrometer)和热电偶类型传感器。这两种传感器由于受制造或出厂检测标准偏差的影响，不能保持长期的一致和稳定。并且，在高温反应腔体的运行和安装维修过程中，传感器的安装、校温方法也会影响到高温反应腔体的实际温度与传感器显示温度之间的差异。

在高温腔体的运行过程中，腔体的内部状态(例如，灯管或加热器的寿命、腔体壁的粗糙度的变化等)也会造成实际温度与传感器显示温度的差异。

因此，需要提供一种方法来准确监控高温腔体内的温度变化，以及不同高温腔体之间的温度差异。

发明内容

在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。

本发明的一方面提供一种检测高温腔体温度的方法，包括：

步骤S1，在高温腔体内对选定的硅片进行指定温度的高温处理，其中指定温度包括依次设定的多个温度点，获得与各个所述温度点一一对应的所述硅片的Haze值，拟合得到高温腔体温度与所述硅片的Haze值的线性关系式一；

步骤S2，对所述硅片进行抛光和清洗；

步骤S3，在所述高温腔体内重复步骤S1以高温处理抛光和清洗后的硅片，得到高温腔体温度与抛光和清洗后的硅片的Haze值的线性关系式二；

步骤S4，计算步骤S1与步骤S3中同一温度点的Haze值的差值，并根据所述差值计算得到所述高温腔体的实际温度差值。

进一步地，根据所述差值计算得到高温腔体的实际温度差值包括：用所述差值除以线性系数，得到高温腔体的实际温度差值，其中所述线性系数是线性关系式一和线性关系式二中可决系数更接近于1的线性关系式的线性系数。

进一步地，所述指定温度包括1100℃～1200℃。

进一步地，按照20℃的差值依次设定多个温度点。

进一步地，采用颗粒量测机台量测硅片的Haze值。

进一步地，所述抛光包括机械抛光或化学抛光。

进一步地，所述抛光去除所述硅片表面0.1～0.5um的厚度。

本发明的另一方面提供一种检测高温腔体温度的方法，包括：

步骤S1，在第一高温腔体内对选定的硅片进行指定温度的高温处理，其中指定温度包括依次设定的多个温度点，获得与各个所述温度点一一对应的所述硅片的Haze值，拟合得到第一高温腔体温度与所述硅片的Haze值的线性关系式一；

步骤S2，对所述硅片进行抛光和清洗；