[发明专利]一种LED芯片及其制作方法

权利要求书

1.一种LED芯片，其特征在于：该LED芯片包括衬底(1)、缓冲层(2)、N型半导体层(3)、多量子阱层(4)、P型半导体层(5)、电流阻挡层(6)、电流扩展层(7)、P型电极(9)和N型电极(10)；

由第一端至第二端方向衬底(1)、缓冲层(2)、N型半导体层(3)、多量子阱层(4)、P型半导体层(5)、电流阻挡层(6)和电流扩展层(7)依次层叠设置；所述P型电极(9)设置在电流扩展层(7)上，且电流阻挡层(6)位于P型电极(9)的正下方；N型电极(10)设置在N型半导体层(3)上；

该LED芯片还包括设置在电流扩展层(7)、缓冲层(2)、P型电极(9)和N型电极(10)上的透明绝缘层(8)，该LED芯片中位于第二端的透明绝缘层(8)上设有第一反射层(11)，该LED芯片中位于第一端的衬底(1)上设有第二反射层(12)，第一反射层(11)和第二反射层(12)共同作用能实现第一端和第二端的光被反射从位于第一端和第二端之间的侧面出光。

2.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于：所述第一反射层(11)和第二反射层(12)均为由铝、银、二氧化钛及二氧化硅中的至少两种形成的布拉格反射镜结构。

3.根据权利要求2所述的LED芯片，其特征在于:所述第一反射层(11)和第二反射层(12)的厚度均在2.0um-4.5um之间。

4.一种如权利要求1-3任意一项所述的LED芯片的制作方法，其特征在于：包括以下步骤：

第一步、制作全结构外延片，具体是：沿第一端至第二端方向，在衬底(1)上依次生长出缓冲层(2)、N型半导体层(3)、多量子阱层(4)和P型半导体层(5)，得到全结构外延片；

第二步、在全结构外延片上生长电流阻挡层(6)；在电流阻挡层(6)及未覆盖电流阻挡层(6)的P型半导体层(5)上生长电流扩展层(7)；

第三步、制作P型电极(9)和N型电极(10)，具体是：在电流扩展层(7)上制作P型电极(9)，且P型电极(9)位于电流阻挡层(6)的正上方；在全结构外延片蚀刻后露出的N型半导体层(3)上制作N型电极(10)；得到LED芯片半成品；

第四步、生长透明绝缘层(8)，具体是：在LED芯片半成品上生长透明绝缘层(8)，得到芯片COW片；

第五步、在芯片COW片位于第一端的衬底(1)上设置第二反射层(12)；在芯片COW片位于第二端的透明绝缘层(8)上设置第一反射层(11)；经过后处理即得LED芯片。

5.根据权利要求4所述的LED芯片的制作方法，其特征在于：所述第三步中制作P型电极(9)和N型电极(10)时，先利用黄光光刻和ICP刻蚀工艺刻蚀制备出P电极焊盘和N电极焊盘，再将P型电极(9)和N型电极(10)分别固定P电极焊盘和N电极焊盘上。

6.根据权利要求5所述的LED芯片的制作方法，其特征在于：所述ICP刻蚀工艺中：功率控制在120W-300W，采用CF₄气体进行刻蚀，CF₄气体控制在80sccm-120sccm。

7.根据权利要求4所述的LED芯片的制作方法，其特征在于：所述第五步具体是：先在芯片COW片位于第一端的衬底(1)上采用蒸镀方式制备出由二氧化钛和二氧化硅形成的厚度为2.0-4.5um的布拉格反射镜结构作为第二反射层(12)，再减薄至80-150um；接着在芯片COW片位于第二端的透明绝缘层(8)上采用蒸镀方式制备出由二氧化钛和二氧化硅形成的厚度为2.0-4.5um的布拉格反射镜结构作为第一反射层(11)；最后进行切割、裂片、点测及分选得到LED芯片。