[发明专利]电阻片多柱分流试验方法

权利要求书

1.一种电阻片多柱分流试验方法，其特征是包括以下方法步骤：

(1).在多柱分流测试设备的m个支路上，将m组电阻片按序号依次放入分流设备中对应序号的分流位置，进行一次电流冲击，记录每个分支的电流和每个分支电流的和即总电流，并计算出分流比依次填入表格；

(2).将m个电阻片柱位置顺序移动，即第1个电阻片柱移到第2个分流位置上，第2个电阻片柱移到第3个分流位置上，……，第m-1个电阻片柱移到第m分流位置上,第m个电阻片柱移到第1个分流位置上,按步骤1的方法进行一次电流冲击，记录每个分支的电流和每个分支电流的和即总电流，并计算出分流比依次填入表格；

(3).按步骤2的方法将m个电阻片柱位置顺序移动总共进行m次，分别进行一次电流冲击，记录每个分支的电流和每个分支电流的和即总电流，并计算出分流比依次填入表格；

(4).数据整理，按位置和电阻片重新排列数据，保证同一行为同一电阻片在不同位置的占流比，同一列为同一位置不同电阻片的占流比；然后对每一行相加，每行的和值的比值是电阻片的实际分流比值；对每一列相加，每列的和值的比值是分流设备的固有分流比值。

2.根据权利要求1所述的电阻片多柱分流试验方法，其特征是所述步骤(1)的计算方法是在多柱分流测试设备的m个支路上，理想状态下每个支路的电流占总电流比应为1/m；设备固有的分流比设为k，每个支路固有分流比为K₁……k_m；选择m个电阻片柱，这m个电阻片柱在不考虑设备误差的影响下，同一个冲击电流下的分流比设为n，m个电阻片柱的分流比为n₁....n_m，在相同的波形、相近的冲击电流下，设备固有的分流比k和电阻片自身的分流比n是不变的；每次冲击的总电流设为I_总，分支电流为I₁....I_m，则：

I₁＝I_总×n₁×k₁ n₁×k₁＝I₁/I_总

I₂＝I_总×n₂×k₂ n₂×k₂＝I₂/I_总

…………

I_m＝I_总×n_m×k_m n_m×k_m＝I_m/I_总。

3.根据权利要求1所述的电阻片多柱分流试验方法，其特征是所述步骤(4)数据整理的方法,对每一行相加，第一行的和为n₁，第二行的和为n₂，……，第m行的和为n_m；如前设定，在每次冲击电流相差不大的情况下，对应某行的k₁……k_m变化很小，它们的和认为是个定值，则m行和值的比值可约去改定值，为n₁:n₂:……:n_m，这就是电阻片的实际分流比值；同理，对每一列相加，第一列的和为k₁，第二列的和为k₂，第m列的和为k_m，则m列和值的比值为k₁:k₂:……:k_m，这就是分流设备的固有分流比值。