[发明专利]一种钙钛矿薄膜及组件的处理和制备方法在审
| 申请号: | 202011066508.3 | 申请日: | 2020-09-30 |
| 公开(公告)号: | CN114335356A | 公开(公告)日: | 2022-04-12 |
| 发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 杭州纤纳光电科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L51/48 | 分类号: | H01L51/48;H01L51/42 |
| 代理公司: | 杭州奥创知识产权代理有限公司 33272 | 代理人: | 杨文华 |
| 地址: | 311121 浙江省杭州*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 钙钛矿 薄膜 组件 处理 制备 方法 | ||
1.一种钙钛矿薄膜的处理方法,其特征在于,将已制备好的钙钛矿薄膜的湿膜置于含硫有机盐或含硫无机盐或含硫的环状小分子化合物蒸汽的气氛中,在20~150℃的低温下,所述化合物蒸汽中的含硫分子与湿膜表层的钙钛矿分子相互结合并诱导其结晶形成黑相,然后再干燥形成钙钛矿薄膜;含硫有机盐或含硫无机盐的化合物分子结构简式为A1R,其中,A1为胺基、脒基、碱族中的一种+1价阳离子,R为含硫的有机或无机-1价阴离子;在含硫的环状小分子化合物中,含硫的环状小分子为3~6元环,或者为1~3个环状单元,其中,硫离子在环状内或者存在于侧链基团中。
2.如权利要求1所述的钙钛矿薄膜的处理方法,其特征在于,包括如下步骤:
步骤11. 制备前驱体溶液,将前驱体金属卤化物BX2与至少一种前驱体AX溶解于有机溶剂中,其中,B为二价金属阳离子铅、锡、钨、铜、锌、镓、锗、砷、硒、铑、钯、银、镉、铟、锑、锇、铱、铂、金、汞、铊、铋、钋中的任意一种,A为胺基、脒基、碱族中的任意一种阳离子,X为碘、溴、氯、砹、硫氰根、醋酸根中至少一种阴离子;
步骤12. 使用步骤11制备的钙钛矿前驱体溶液采用旋涂、刮涂、狭缝式连续涂布、喷涂、印刷中任意一种加工方式制备钙钛矿薄膜;
步骤13. 将未完全干燥的钙钛矿薄膜的湿膜放入含硫有机盐或含硫无机盐或含硫的环状小分子化合物蒸汽的气氛中,在20~150℃的低温下,化合物蒸汽中的含硫分子与湿膜表层的钙钛矿分子相互结合并诱导其结晶形成黑相;
步骤14. 将步骤13处理后的钙钛矿薄膜进行退火。
3.如权利要求1所述的钙钛矿薄膜的处理方法,其特征在于,包括如下步骤:
步骤21. 制备钙钛矿前驱体溶液,将前驱体金属卤化物BX2溶解于有机溶剂中,充分搅拌待用;将至少一种前驱体AX溶解于另一有机溶剂,充分搅拌待用;其中,B为二价金属阳离子铅、锡、钨、铜、锌、镓、锗、砷、硒、铑、钯、银、镉、铟、锑、锇、铱、铂、金、汞、铊、铋、钋中的任意一种,A为胺基、脒基、碱族中的任意一种阳离子,X为碘、溴、氯、砹、硫氰根、醋酸根中至少一种阴离子;
步骤22. 使用步骤21制备的钙钛矿前驱体金属卤化物BX2溶液采用旋涂、刮涂、狭缝式连续涂布、喷涂、印刷中任意一种加工方式制备含钙钛矿前驱体金属卤化物BX2薄膜;
步骤23. 在步骤22制备的含钙钛矿前驱体金属卤化物BX2薄膜上采用旋涂、刮涂、狭缝式连续涂布、喷涂、印刷中任意一种加工方式沉积含钙钛矿前驱体AX溶液,反应得到钙钛矿薄膜;
步骤24. 将未完全干燥的钙钛矿薄膜的湿膜放入含硫有机盐或含硫无机盐或含硫的环状小分子化合物蒸汽的气氛中,在20~150℃的低温下,化合物蒸汽中的含硫分子与湿膜表层的钙钛矿分子相互结合并诱导其结晶形成黑相;
步骤25. 将步骤24处理后的钙钛矿薄膜进行退火。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
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