[发明专利]推挽功率放大器、射频前端电路和无线装置有效
| 申请号: | 202011065995.1 | 申请日: | 2020-09-30 |
| 公开(公告)号: | CN112187194B | 公开(公告)日: | 2022-04-19 |
| 发明(设计)人: | 曹原;奉靖皓;戎星桦;倪建兴 | 申请(专利权)人: | 锐石创芯(深圳)科技股份有限公司 |
| 主分类号: | H03F3/20 | 分类号: | H03F3/20;H03F3/189 |
| 代理公司: | 深圳众鼎汇成知识产权代理有限公司 44566 | 代理人: | 吴立 |
| 地址: | 518000 广东省深圳市福田区梅林街*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 功率放大器 射频 前端 电路 无线 装置 | ||
1.一种推挽功率放大器,设置在射频前端的信号传输路径上,其特征在于,包括:
基板;
设置在所述基板上的前级CMOS芯片和后级芯片,所述前级CMOS芯片上集成有不包含巴伦器件的差分电路,用于对接收到的输入射频信号进行差分转换处理,形成第一射频信号和第二射频信号;所述后级芯片上集成有放大电路;所述放大电路与所述差分电路相连,用于对所述第一射频信号和所述第二射频信号进行放大处理,形成第一放大信号和第二放大信号;
输出巴伦,与所述放大电路相连,用于对所述第一放大信号和所述第二放大信号进行处理,形成输出射频信号;
所述前级CMOS芯片和所述后级芯片采用并列排布或者堆叠芯片方式设置在所述基板上,所述前级CMOS芯片和所述后级芯片均与所述基板电连接,所述前级CMOS芯片与所述后级芯片电连接;
所述后级芯片为HBT芯片或者GaN芯片。
2.如权利要求1所述的推挽功率放大器,其特征在于,所述输出巴伦集成在所述后级芯片上,或者,所述输出巴伦设置在所述基板上。
3.如权利要求1所述的推挽功率放大器,其特征在于,所述放大电路为一级功率放大电路,所述一级功率放大电路为单个功率放大单元形成的电路,所述功率放大单元包括并列设置的第一放大支路和第二放大支路。
4.如权利要求1所述的推挽功率放大器,其特征在于,所述放大电路为多级功率放大电路,所述多级功率放大电路为至少两个功率放大单元串联形成的电路,所述功率放大单元包括并列设置的第一放大支路和第二放大支路。
5.如权利要求4所述的推挽功率放大器,其特征在于,相邻两个所述功率放大单元之间设有级间匹配电路。
6.如权利要求1所述的推挽功率放大器,其特征在于,所述前级CMOS芯片还集成有与差分电路的输入端相连的用于进行阻抗匹配的第一匹配网络;所述后级芯片还集成有与所述放大电路的输入端相连的用于进行阻抗匹配的第二匹配网络。
7.如权利要求1所述的推挽功率放大器,其特征在于,所述差分电路包括差分隔直电容、第一晶体管、第二晶体管、第一电阻、第二电阻和共模抑制元件;所述第一晶体管的第一端通过所述差分隔直电容与输入端相连,所述第一晶体管的第二端与所述第一电阻和第一输出端之间的连接节点相连,所述第一晶体管的第三端与所述第二晶体管的第三端和所述共模抑制元件之间的连接节点相连;所述第二晶体管的第一端与基准电压源相连,所述第二晶体管的第二端与所述第二电阻和第二输出端之间的连接节点相连,所述第二晶体管的第三端和所述第一晶体管的第三端之间的连接节点与所述共模抑制元件相连;所述第一电阻和所述第二电阻之间的连接节点与供电端相连。
8.一种射频前端电路,其特征在于,包括权利要求1-7任一项所述推挽功率放大器。
9.一种无线装置,其特征在于,包括权利要求1-7任一项所述推挽功率放大器。
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