[发明专利]一种高介电陶瓷电容器介质材料及其制备工艺在审
申请号: | 202011065656.3 | 申请日: | 2020-09-30 |
公开(公告)号: | CN112159224A | 公开(公告)日: | 2021-01-01 |
发明(设计)人: | 刘志甫;马名生;储小兰;罗亚成;张建刚 | 申请(专利权)人: | 泗阳群鑫电子有限公司 |
主分类号: | C04B35/468 | 分类号: | C04B35/468;C04B35/622;C04B35/64;H01G4/12 |
代理公司: | 合肥正则元起专利代理事务所(普通合伙) 34160 | 代理人: | 韩立峰;刘培越 |
地址: | 223700 江苏省宿迁市泗*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 高介电 陶瓷 电容器 介质 材料 及其 制备 工艺 | ||
1.一种高介电陶瓷电容器介质材料,其特征在于,包括如下重量份原料:80-95份主成分,1-10份添加剂,3-5份烧结助熔剂,5-8份氧化锂,5-5.5份氧化钠,3.5-4份氧化镧,3.5-3.8份氧化钕,7.5-7.7份三氧化二铋,65-80份纳米二氧化钛;
该高介电陶瓷电容器介质材料由如下方法制成:
第一步、将氧化锂、氧化钠、氧化镧、氧化钕、三氧化二铋和纳米二氧化钛混合均匀,制得混合料,将混合料加入580-600r/min的球磨机中球磨15min,之后转移至900-950℃马弗炉中煅烧3h,制得煅烧料,之后再次球磨,控制球磨机的转速为600-650r/min,之后加入PVA作为粘结剂,造粒,之后在1100-1150℃的温度下烧结,制得填料;
第二步、将第一步制得的填料、主成分、添加剂和烧结助熔剂混合均匀、球磨,之后在1000-1100℃下煅烧2h,制得基料,之后二次球磨,压制成型,在1350-1400℃下烧结3h,冷却,制得高介电陶瓷电容器介质材料。
2.根据权利要求1所述的一种高介电陶瓷电容器介质材料,其特征在于,所述主成分由如下方法制成:
步骤S1、将乙酸锶和乙酸钡加入去离子水中,以120-150r/min的转速匀速搅拌30min,制得混合液A;将钛酸丁酯、无水乙醇和乙酸混合均匀,超声震荡30min,控制超声的功率为50-60W,制得混合液B,将混合液A滴加至混合液B中,控制滴加时间为15-20min,滴加结束后以180-200r/min的转速匀速搅拌直至形成溶胶,将溶胶在35-40℃下老化20h,之后转移至70-80℃干燥箱中干燥10h,制得干凝胶,最后将干凝胶加入球磨机中,在480-500r/min的转速下球磨1h,之后转移至马弗炉中,以10℃/min的升温速率升温至600℃,之后以5℃/min的升温速率升温至800℃,在此温度下保温2h,之后冷却,制得第一粉体;
步骤S2、将氧氯化锆加入去离子水中匀速搅拌直至完全溶解,制得溶液C,将草酸钠加入去离子水中,磁力搅拌15min,制成质量分数15%的草酸钠水溶液,将溶液C滴加至草酸钠水溶液中,控制滴加时间为20-30min,滴加结束后匀速搅拌30min,静置2h,除去上清液用去离子水洗涤三次,离心,之后用无水乙醇洗涤三次,转移至70-80干燥箱中干燥10h,之后转移至马弗炉中,以5℃/min的升温速率升温至500℃,在此温度下保温2h,冷却,制得第二粉体,控制氧氯化锆和草酸钠的物质的量之比为1∶1;
步骤S3、将第一粉体和第二粉体按照4∶1的重量比混合均匀,制得混合粉体,之后转移至马弗炉中在500℃下保温2h,制得主成分。
3.根据权利要求2所述的一种高介电陶瓷电容器介质材料,其特征在于,步骤S1中控制锶、钡和钛元素的摩尔比为1∶1.5-2∶7-8,钛酸丁酯和乙酸的重量比为1∶0.08-0.1。
4.根据权利要求1所述的一种高介电陶瓷电容器介质材料,其特征在于,所述添加剂为氧化钙、氧化锶、氧化锰和氧化铝按照1∶1∶0.5∶1的重量比混合而成。
5.根据权利要求1所述的一种高介电陶瓷电容器介质材料,其特征在于,所述烧结助熔剂为五氧化二钒、氧化锌、氧化铜、氧化钡和氧化铋按照1∶4∶1∶1∶3的重量比混合而成。
6.根据权利要求1所述的一种高介电陶瓷电容器介质材料的制备工艺,其特征在于,包括如下步骤:
第一步、将氧化锂、氧化钠、氧化镧、氧化钕、三氧化二铋和纳米二氧化钛混合均匀,制得混合料,将混合料加入580-600r/min的球磨机中球磨15min,之后转移至900-950℃马弗炉中煅烧3h,制得煅烧料,之后再次球磨,控制球磨机的转速为600-650r/min,之后加入PVA作为粘结剂,造粒,之后在1100-1150℃的温度下烧结,制得填料;
第二步、将第一步制得的填料、主成分、添加剂和烧结助熔剂混合均匀、球磨,之后在1000-1100℃下煅烧2h,制得基料,之后二次球磨,压制成型,在1350-1400℃下烧结3h,冷却,制得高介电陶瓷电容器介质材料。
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