[发明专利]一种非接触式晶片支撑装置在审
| 申请号: | 202011065641.7 | 申请日: | 2020-09-30 |
| 公开(公告)号: | CN112201610A | 公开(公告)日: | 2021-01-08 |
| 发明(设计)人: | 胡璐 | 申请(专利权)人: | 南京华易泰电子科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
| 代理公司: | 北京盛凡智荣知识产权代理有限公司 11616 | 代理人: | 屠佳婕 |
| 地址: | 210032 江苏省南*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 接触 晶片 支撑 装置 | ||
1.一种非接触式晶片支撑装置,包括第二构件(200),其特征在于,所述第二构件(200)为中空的圆锥形结构,且所述第二构件(200)的上表面直径大于下表面直径,所述第二构件(200)内容纳有第一构件(100),所述第一构件(100)为圆锥形结构,且所述第一构件(100)的上表面直径大于下表面直径,所述第一构件(100)的外表面与第二构件(200)的内壁具有间隙,所述间隙为第三空气通道(210),所述第一构件(100)的上表面由凸部(110)及凹部(120)构成,所述第二构件(200)上表面位于第一构件(100)上表面的上方,所述第一构件(100)上表面设置有硅片(50),每个所述凸部(110)上均设置有呈圆周阵列分布的第一空气通道(111),所述第一空气通道(111)贯穿第一构件(100),每个所述凹部(120)上均设置有呈圆周阵列分布的第二空气通道(121),所述第二空气通道(121)贯穿第一构件(100),所述第二构件(200)的下方分别设置有第一空气注气泵(310)、第二空气注气泵(320)及吸气泵(400),所述第一空气注气泵(310)通过由第一构件(100)的凸部(110)形成的第一空气通道(111)朝第一构件(100)顶部的方向注入,所述吸气泵(400)通过从第一构件(100)的凹部(120)形成的第二空气通((121)向第一构件(100)的底部吸入空气,所述第二空气注气泵(320)通过形成在第一构件(100)和第二构件(200)之间的第三空气通道(210)注入。
2.根据权利要求1所述的一种非接触式晶片支撑装置,其特征在于,所述凸部(110)与凹部(120)呈环状径向交替分布。
3.根据权利要求1所述的一种非接触式晶片支撑装置,其特征在于,所述第一构件(100)的上表面的直径优选小于或等于硅片(50)的直径。
4.根据权利要求1所述的一种非接触式晶片支撑装置,其特征在于,所述第一空气通道(111)的开口为第一空气通道(111)的排出口(111)a。
5.根据权利要求1所述的一种非接触式晶片支撑装置,其特征在于,所述第二空气通道(121)的的开口为第二空气通道(121)的进气口(121)a。
6.根据权利要求1所述的一种非接触式晶片支撑装置,其特征在于,所述第二构件(200)的内径与第一构件(100)的顶面相同的平面上逐步扩大,且所述第二构件(200)上端的内径大于硅片(50)的直径。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





