[发明专利]一种用于硅异质结太阳电池生产的单腔PECVD沉积工艺在审
| 申请号： | 202011062480.6 | 申请日： | 2020-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN112267105A | 公开（公告）日： | 2021-01-26 |
| 发明（设计）人： | 刘文柱;张丽平;刘正新;黄圣磊;李晓东 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | C23C16/50 | 分类号： | C23C16/50;C23C16/24;C23C16/56;C23C16/44;H01L31/20 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人： | 宋丽荣 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 硅异质结 太阳电池 生产 pecvd 沉积 工艺 | ||
1.一种用于硅异质结太阳电池生产的单腔PECVD沉积工艺，该硅异质结太阳电池包括本征非晶硅薄膜和掺杂硅薄膜，其特征在于，该单腔PECVD沉积工艺包括在同一PECVD沉积腔室中沉积本征非晶硅薄膜和掺杂硅薄膜，其中，在沉积掺杂硅薄膜之后通过氧化性等离子体对PECVD沉积腔室进行后处理，以利用氧化性等离子体产生的氧化性粒子钝化附着在PECVD沉积腔室上的掺杂原子使其失去活性以避免交叉污染。
2.根据权利要求1所述的单腔PECVD沉积工艺，其特征在于，通过氧化性等离子体对PECVD沉积腔室进行后处理的沉积功率为5-400mW/cm2。
3.根据权利要求1所述的单腔PECVD沉积工艺，其特征在于，在沉积掺杂硅薄膜之后通过氧化性等离子体对掺杂硅薄膜进行后处理，以利用氧化性等离子体轰击掺杂硅薄膜来提升掺杂硅薄膜的致密性。
4.根据权利要求3所述的单腔PECVD沉积工艺，其特征在于，通过氧化性等离子体对掺杂硅薄膜进行后处理的沉积功率为6-40mW/cm2。
5.根据权利要求1所述的单腔PECVD沉积工艺，其特征在于，氧化性等离子体包括CO2等离子体。
6.根据权利要求1所述的单腔PECVD沉积工艺，其特征在于，该单腔PECVD沉积工艺还包括在通过氧化性等离子体对沉积腔室进行后处理之前，在掺杂硅薄膜上沉积高掺杂浓度且较为疏松的掺杂层。
7.根据权利要求1所述的单腔PECVD沉积工艺，其特征在于，掺杂硅薄膜为掺磷非晶硅薄膜或掺磷微晶硅薄膜或掺磷非晶硅氧薄膜或掺磷微晶硅氧薄膜或掺硼非晶硅薄膜或掺硼微晶硅薄膜或掺硼非晶硅氧薄膜或掺硼微晶硅氧薄膜。
8.根据权利要求7所述的单腔PECVD沉积工艺，其特征在于，掺磷非晶硅薄膜或掺磷微晶硅薄膜或掺磷非晶硅氧薄膜或掺磷微晶硅氧薄膜的介电常数的虚部最大值大于22，掺硼非晶硅薄膜或掺硼微晶硅薄膜或掺硼非晶硅氧薄膜或掺硼微晶硅氧薄膜的介电常数的虚部大于21。
9.根据权利要求7所述的单腔PECVD沉积工艺，其特征在于，掺硼非晶硅薄膜掺硼微晶硅薄膜或掺硼非晶硅氧薄膜或掺硼微晶硅氧薄膜中氢的含量小于15％。
10.根据权利要求1所述的单腔PECVD沉积工艺，其特征在于，本征非晶硅薄膜为本征非晶硅薄膜或者本征非晶硅氧薄膜。
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