[发明专利]半导体工艺腔室及其支撑机构

说明书

本发明公开一种半导体工艺腔室及其支撑机构，该支撑机构用于支撑半导体待加工件，该支撑机构包括本体部和支撑部，该本体部为环状结构，支撑部设置于所述本体部的内侧壁，且具有贯穿孔。上述技术方案可以解决目前外延过程中，容易出现因晶圆上下表面的温度相差较大而发生裂片的情况，严重影响外延工艺的良品率的问题。

技术领域

本发明涉及半导体加工设备技术领域，尤其涉及一种半导体工艺腔室及其支撑机构。

背景技术

外延反应是半导体加工过程中的一项重要工作，在外延反应过程中，半导体的温度控制在外延反应中举足轻重。随着技术发展，晶圆的尺寸逐渐增大，使得温度控制精度愈发重要。目前，通常采用石墨等导热材质的基座支撑晶圆，且在基座的上下两侧分别设置加热灯，以对晶圆的上下表面进行加热，由于晶圆支撑在基座上，基座在加热灯的加热作用下被加热，使得基座可以将热量通过热传导的方式传递至晶圆的下表面，而由于晶圆的上表面是由辐射加热的方式被加热，两种加热方式的热传递效率相差较大，在外延过程中，容易出现因晶圆上下表面的温度相差较大而发生裂片的情况，严重影响外延工艺的良品率。

发明内容

本发明公开一种半导体工艺腔室及其支撑机构，以解决目前外延过程中，容易出现因晶圆上下表面的温度相差较大而发生裂片的情况，严重影响外延工艺的良品率的问题。

为了解决上述问题，本发明采用下述技术方案：

第一方面，本申请实施例公开一种支撑机构，用于支撑半导体待加工件，所述支撑机构包括本体部和支撑部，所述本体部为环状结构，所述支撑部设置于所述本体部的内侧壁，且具有贯穿孔。

第二方面，本申请实施例公开一种半导体工艺腔室，其包括上述支撑机构。

本发明采用的技术方案能够达到以下有益效果：

本发明实施例公开一种半导体工艺腔室中的支撑机构，支撑机构包括本体部和支撑部，本体部为环状结构，支撑部设置在本体部的内侧壁，半导体待加工件能够支撑在支撑部上，使支撑机构具备支撑半导体待加工件的功能；并且，支撑部具有贯穿孔，在对支撑在支撑机构上的半导体待加工件进行加热的过程中，半导体待加工件的下表面的一部分能够裸露设置，且半导体待加工件背离支撑部的上表面也裸露设置，从而可以采用热辐射的加热方式对半导体待加工件的上表面和下表面进行加热，提升半导体待加工件中上表面和下表面的温度一致性，防止出现因上下表面的温度相差较大而发生裂片的情况，提升外延工艺的良品率。并且，采用上述支撑机构支撑半导体待加工件进行外延反应等加工工艺的过程中，由于支撑部设有贯穿孔，从而自半导体待加工件中上表面和下表面所释放的杂质气体均可以直接散发而出，防止杂质气体停留在半导体待加工件的周围，保证半导体待加工件的外延反应正常进行。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本发明的一部分，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：

图1是本发明实施例公开的支撑机构的工作状态示意图；

图2是本发明实施例公开的支撑机构的结构示意图；

图3是本发明实施例公开的支撑机构中部分结构的示意图；

图4是本发明实施例公开的支撑机构中部分结构的另一种示意图；

图5是本发明实施例公开的支撑机构中部分结构的剖面示意图；

图6是本发明实施例公开的支撑机构中旋转架的结构示意图；

图7是本发明实施例公开的支撑机构与半导体待加工件的配合示意图。

附图标记说明：

100-本体部、

200-支撑部、210-贯穿孔、220-支撑面、