[发明专利]基板研磨装置、膜厚映射制作方法及基板的研磨方法

权利要求书

1.一种基板研磨装置，具备：研磨台，该研磨台构成为能够旋转，且设置有输出与膜厚相关的信号的传感器；研磨头，该研磨头与所述研磨台相对并构成为能够旋转，且能够在与所述研磨台相对的面安装基板；以及控制部，该基板研磨装置的特征在于，

所述控制部在所述传感器在所述基板的被研磨面上通过时从所述传感器取得信号，

所述控制部基于所述信号的分布曲线来确定所述传感器相对于所述基板的轨道，

所述控制部基于所述信号来计算所述轨道上的各点处的所述基板的膜厚，

所述控制部基于针对所述传感器的多个轨道而计算出的各点的膜厚来制作膜厚映射。

2.根据权利要求1所述的基板研磨装置，其特征在于，

所述传感器是一个以上的涡电流传感器。

3.根据权利要求1所述的基板研磨装置，其特征在于，

所述传感器是一个以上的光学传感器。

4.根据权利要求1所述的基板研磨装置，其特征在于，

所述传感器是一个以上的涡电流传感器和一个以上的光学传感器。

5.根据权利要求1所述的基板研磨装置，其特征在于，

在研磨所述基板后的水研磨中，所述控制部从所述传感器取得所述信号。

6.根据权利要求1所述的基板研磨装置，其特征在于，

在所述基板的研磨中，所述控制部从所述传感器取得所述信号。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的基板研磨装置，其特征在于，

所述控制部还在与所述传感器的第一轨道对应的第一步骤中，计算所述基板的研磨速率分布曲线，

所述控制部基于所述研磨速率分布曲线，计算从第二步骤到所述第一步骤为止的所述基板的研磨量，该第二步骤与所述传感器的第二轨道对应且在所述第一步骤之前，

所述控制部从所述第二步骤中的所述膜厚映射减去所述研磨量，在减去后的膜厚映射中追加所述第一步骤中的所述第一轨道的膜厚的数据，由此更新所述膜厚映射。

8.根据权利要求4所述的基板研磨装置，其特征在于，

所述控制部还基于使用来自所述涡电流传感器的信号制作出的第一膜厚映射和使用来自所述光学传感器的信号制作出的所述第二膜厚映射的比较，制作表示所述基板的凹陷量的分布的凹陷映射。

9.根据权利要求1所述的基板研磨装置，其特征在于，

所述控制部还基于所述膜厚映射，判定是否达成了所期望的膜厚或所期望的膜厚分布曲线，

在未达到所述所期望的膜厚或所述所期望的膜厚分布曲线的情况下，所述控制部进行控制，以使用所述研磨台及所述研磨头、或者所述基板研磨装置所具备的第二研磨台及第二研磨头、或者与所述基板研磨装置不同的其他基板研磨装置所具备的第三研磨台及第三研磨头来对所述基板进行再研磨。

10.根据权利要求8所述的基板研磨装置，其特征在于，

所述控制部还基于所述凹陷映射，判定是否达成了所期望的凹陷量，

在未达到所述所期望的凹陷量的情况下，所述控制部进行控制，以使用所述研磨台及所述研磨头、或者所述基板研磨装置所具备的第二研磨台及第二研磨头、或者与所述基板研磨装置不同的其他基板研磨装置所具备的第三研磨台及第三研磨头来对所述基板进行再研磨。

11.根据权利要求8所述的基板研磨装置，其特征在于，

所述控制部还基于所述膜厚映射或所述凹陷映射，决定前工序的处理条件，或者决定后工序的处理条件，或者进行用于质量管理的数据处理。

12.根据权利要求8所述的基板研磨装置，其特征在于，

所述控制部还基于所述膜厚映射或所述凹陷映射来使研磨条件最佳化。