[发明专利]多芯片封装件及其制造方法

说明书

本发明公开一种多芯片封装件及其制造方法。多芯片封装件包括：中介层，包括布线结构与电连接至布线结构的中介通路；多个半导体芯片，位于中介层的第一表面上且经由中介层而彼此电连接；包封体，位于中介层的第一表面上且包封多个半导体芯片的至少部分；以及重配置线路结构，位于中介层的与第一表面相对的第二表面上，其中所述多个半导体芯片至少经由所述中介层而电连接至所述重配置线路结构。

技术领域

本发明涉及一种半导体封装件及其制造方法，且特别是有涉及一种多芯片封装件及其制造方法。

背景技术

为了使半导体封装件同时具有轻薄体积以及高性能，目前的封装技术已尝试将多个半导体芯片整合于单一半导体封装件中而形成多芯片封装件或是以三维堆叠技术堆叠多个半导体封装件而形成堆叠式封装件(Package on package，PoP)或系统级封装件(System in Package)。然而，现有的多芯片封装件中的多个半导体芯片之间的信号沟通速度受限，因此半导体封装件的整体效能仍有待进一步的提升。

发明内容

本发明的目的是提供一种效能良好的多芯片封装件。

本发明提供一种多芯片封装件，包括中介层、多个半导体芯片、包封体及重配置线路结构。所述中介层包括布线结构与电连接至所述布线结构的中介通路。所述多个半导体芯片位于所述中介层的第一表面上且经由所述中介层而彼此电连接。所述包封体位于所述中介层的所述第一表面上且包封所述多个半导体芯片的至少部分。所述重配置线路结构位于所述中介层的第二表面上，所述中介层的所述第二表面与所述中介层的所述第一表面相对。所述多个半导体芯片至少经由所述中介层电连接至所述重配置线路结构。

本发明提供一种多芯片封装件，包括中介层、多个半导体芯片及重配置线路结构。所述中介层包括：布线结构、暴露出所述布线结构的至少部分的开口以及位于所述开口中且电连接至所述布线结构的中介通路。所述多个半导体芯片位于所述中介层的第一表面上且经由所述中介层而彼此电连接。所述重配置线路结构，位于所述中介层的第二表面上且与所述中介通路电连接，所述中介层的所述第二表面与所述中介层的所述第一表面相对。所述多个半导体芯片至少经由所述中介层电连接至所述重配置线路结构。

本发明提供一种制造多芯片封装件的方法，包括以下步骤。于中介层的第一表面上提供多个半导体芯片以使所述中介层的第一导体与所述多个半导体芯片的第二导体彼此接合。从中介层的与第一表面相对的第二表面形成开口，以暴露出所述中介层的布线结构的至少部分。在所述中介层的所述开口中形成中介通路，所述中介通路连接到所述中介层的所述布线结构。在所述中介层的所述第二表面上形成重配置线路结构，所述重配置线路结构电连接至所述中介通路。

基于上述，本发明的多芯片封装件可提升多芯片封装件的整体效能。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。

附图说明

图1是发明的一实施例的多芯片封装件的剖面示意图；

图2是沿图1的多芯片封装件的剖线I-I’的平面示意图；

图3A至图3H是本发明的一实施例的制造多芯片封装件的制造流程步骤的剖面示意图；

图4A及图4B是本发明的一实施例的接合芯片的方法的剖面示意图；

图5A及图5B是本发明的另一实施例的接合芯片的方法的剖面示意图。

具体实施方式

现将详细地参考本发明的示范性实施例，示范性实施例的实例说明于附图中。只要有可能，相同元件符号在附图和描述中用来表示相同或相似部分。