[发明专利]一种深度剥除的光纤导引式高功率光纤包层光剥除器

权利要求书

1.一种深度剥除的光纤导引式高功率光纤包层光剥除器，其特征在于，主激光方向从左向右，设定左侧为主激光的双包层传输光纤，包括左侧传输光纤纤芯(3)、包覆在左侧传输光纤纤芯(3)上的左侧传输光纤包层(2)、以及包覆在左侧传输光纤包层(2)上的左侧传输光纤涂覆层(1)；右侧为双包层光纤和泄漏层光的光纤通过拉锥或者腐蚀形成的锥形结构，包括右侧传输光纤纤芯(4)、包覆在右侧传输光纤纤芯(4)上的右侧传输光纤包层(5)、以及包覆在右侧传输光纤包层(5)上的右侧传输光纤涂覆层(6)，锥形结构的左端为右侧传输光纤椎体(7)，右侧传输光纤纤芯(4)外周均匀排布多根包层光导引光纤，每根包层光导引光纤包括包层光导引光纤裸光纤(8)和包覆在包层光导引光纤裸光纤(8)上的包层光导引光纤涂覆层(9)。

2.如权利要求1所述的深度剥除的光纤导引式高功率光纤包层光剥除器，其特征在于，所述左侧主激光的双包层传输光纤与右侧的一根双包层传输光纤和多根包层光导引光纤熔接，左侧传输光纤纤芯(3)中的激光直接耦合入右侧传输光纤纤芯(4)中，包层光中的残余泵浦光以及高阶模通过多根包层光导引光纤裸光纤(8)传输至任意方便散热的地方。

3.如权利要求2所述的深度剥除的光纤导引式高功率光纤包层光剥除器，其特征在于，所述右侧传输光纤椎体(7)采用氢氟酸刻蚀的方法制作。

4.如权利要求3所述的深度剥除的光纤导引式高功率光纤包层光剥除器，其特征在于，所述左侧传输光纤包层(2)和左侧传输光纤纤芯(3)的右端通过刻蚀方法形成椎体端。

5.如权利要求4所述的深度剥除的光纤导引式高功率光纤包层光剥除器，其特征在于，所述左侧传输光纤涂覆层(1)、左侧传输光纤包层(2)和左侧传输光纤纤芯(3)形成左侧激光输入端，右侧传输光纤纤芯(4)、右侧传输光纤包层(5)、右侧传输光纤涂覆层(6)和右侧传输光纤椎体(7)形成右侧激光传输端，左侧激光输入端除去涂覆层，并对端头切割为平面结构或通过氢氟酸刻蚀为锥形结构，右侧激光传输端除去涂覆层，通过氢氟酸刻蚀为锥形结构。

6.基于权利要求5所述深度剥除的光纤导引式高功率光纤包层光剥除器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1：先将传输光纤切割为两部分，一段为左侧激光输入端，另一段为右侧激光传输端；左侧激光输入端除去涂覆层，并将端头处理为平面结构或锥形结构，右侧激光传输端除去涂覆层，处理为锥形结构；

S2：准备数根导引光纤，将其去除涂覆层之后，将导引光纤和右侧激光传输端集束在一起；

S3：将左侧激光输入端与数根导引光纤和右侧激光传输端的集束椎体熔接；

S4：对上述光纤结构进行封装。

7.如权利要求6所述的深度剥除的光纤导引式高功率光纤包层光剥除器制备方法，其特征在于，所述步骤S1中，对左侧激光输入端端头切割为平面结构或通过氢氟酸刻蚀为锥形结构。

8.如权利要求7所述的深度剥除的光纤导引式高功率光纤包层光剥除器制备方法，其特征在于，所述步骤S1中，右侧激光传输端通过氢氟酸刻蚀为锥形结构。

9.如权利要求8所述的深度剥除的光纤导引式高功率光纤包层光剥除器制备方法，其特征在于，所述步骤S2中，导引光纤有6根，均匀排布在右侧激光传输端外周。

10.如权利要求6所述的深度剥除的光纤导引式高功率光纤包层光剥除器制备方法，其特征在于，所述右侧激光传输端的椎体结构参数、导引光纤的粗细影响剥除器剥除深度。