[发明专利]一种红外探测器材料的势垒层及其制备方法在审
| 申请号： | 202011060701.6 | 申请日： | 2020-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN112382690A | 公开（公告）日： | 2021-02-19 |
| 发明（设计）人： | 陈冬琼;邓功荣;杨文运;朱琴;信思树;戴欣冉;赵宇鹏;余瑞云;尚发兰;太云见;赵鹏;黄晖 | 申请（专利权）人： | 昆明物理研究所 |
| 主分类号： | H01L31/109 | 分类号： | H01L31/109;H01L31/0304;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京理工大学专利中心 11120 | 代理人： | 周蜜 |
| 地址： | 650223 *** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 红外探测器 材料 势垒层 及其 制备 方法 | ||
1.一种红外探测器材料的势垒层，其特征在于：所述红外探测器材料的结构从上向下依次为顶电极接触层(1)、势垒层(2)、吸收层(3)、底电极接触层(4)、缓冲层(5)以及衬底(6)；
所述势垒层(2)的材料为掺杂Be的p型复合层，Be的掺杂浓度为5×1015cm-3～1×1016cm-3，所述复合层由AlAs0.08Sb0.92层和AlSb层交替生长构成，其中，AlAs0.08Sb0.92层和AlSb层的厚度分别独立为1nm～10nm，AlAs0.08Sb0.92层与吸收层(3)接触；所述势垒层(2)的厚度为100nm～200nm。
2.根据权利要求1所述的一种红外探测器材料的势垒层，其特征在于：顶电极接触层(1)的材料为掺杂Be的p型GaSb材料或掺杂Si的n型InAs0.91Sb0.09材料；Be的掺杂浓度为5×1017cm-3～1×1018cm-3，Si的掺杂浓度为1×1018cm-3；顶电极接触层(1)的厚度为100nm～300nm。
3.根据权利要求1所述的一种红外探测器材料的势垒层，其特征在于：吸收层(3)的材料为非故意掺杂InAs0.91Sb0.09材料；吸收层(3)的厚度为2000nm～3000nm。
4.根据权利要求1所述的一种红外探测器材料的势垒层，其特征在于：底电极接触层(4)的材料为n型InAs0.91Sb0.09单晶且掺杂Si，Si的掺杂浓度为1017cm-3～1018cm-3；底电极接触层(4)的厚度为200nm～500nm。
5.根据权利要求1所述的一种红外探测器材料的势垒层，其特征在于：缓冲层(5)的材料为非故意掺杂GaSb材料；缓冲层(5)的厚度为50nm～200nm。
6.根据权利要求1所述的一种红外探测器材料的势垒层，其特征在于：衬底(6)的材料为掺杂Te的n型GaSb材料，Te的掺杂浓度为1×1017cm-3～5×1017cm-3。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
