[发明专利]磁性随机存储器有效
| 申请号： | 202011059916.6 | 申请日： | 2020-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN112186094B | 公开（公告）日： | 2023-02-28 |
| 发明（设计）人： | 赵巍胜;朱道乾;郭宗夏;曹凯华;彭守仲 | 申请（专利权）人： | 北京航空航天大学 |
| 主分类号： | H10N50/80 | 分类号： | H10N50/80;H10N50/10;G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 孙乳笋;赵平 |
| 地址： | 100191*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 磁性 随机 存储器 | ||
【权利要求书】：
1.一种磁性随机存储器，其特征在于，包括：
反铁磁层；
磁隧道结，设于所述反铁磁层上，包括与所述反铁磁层对应设置的铁磁层；
其中，所述磁隧道结的铁磁层具备面内磁各向异性，所述反铁磁层与所述铁磁层间通过退火工艺形成交换偏置场；
所述反铁磁层为底电极层或者进一步包括设于所述反铁磁层背离所述磁隧道结的一侧的底电极层；
当所述底电极层输入不同方向的电流，进而产生不同极化方向的自旋流时，所述反铁磁层与所述铁磁层间形成对应方向的交换偏置场。
2.根据权利要求1所述的磁性随机存储器，其特征在于，所述反铁磁层的厚度大于等于与所述铁磁层形成交换偏置场所需的最小厚度。
3.根据权利要求1所述的磁性随机存储器，其特征在于，进一步包括设于所述反铁磁层和所述铁磁层间的插入层。
4.根据权利要求3所述的磁性随机存储器，其特征在于，所述插入层的材料为W、Ta、Hf、Mo和Cr的其中之一。
5.根据权利要求1所述的磁性随机存储器，其特征在于，所述磁隧道结包括自上而下依次设置的参考层、势垒层和自由层，所述自由层为所述铁磁层。
6.根据权利要求1所述的磁性随机存储器，其特征在于，所述磁隧道结为圆柱、椭圆柱、正方体或长方体。
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