[发明专利]一种绝缘栅双极晶体管及其制备方法

权利要求书

1.一种绝缘栅双极晶体管，其特征在于，包括N-漂移区(4)、P型基区(5)、N-buffer层(10)和N+发射区(6)；

所述P型基区(5)位于N-漂移区(4)上表面两侧，所述N+发射区(6)位于P型基区(5)的上表面，且距所述P型基区(5)外侧具有设定距离；

所述N-buffer层(10)位于N+发射区(6)下方的P型基区(5)内部。

2.根据权利要求1所述的绝缘栅双极晶体管，其特征在于，所述N-buffer层(10)外侧与N-漂移区(4)边缘的距离小于N+发射区(6)外侧与N-漂移区(4)边缘的距离。

3.根据权利要求2所述的绝缘栅双极晶体管，其特征在于，所述N-漂移区(4)上表面中间位置还包括：上下设置的栅极(8)和栅介质层(9)；

所述N-buffer层(10)具有设定深度，其一端与栅介质层(9)连接，另一端深入P型基区(5)。

4.根据权利要求1所述的绝缘栅双极晶体管，其特征在于，所述N+发射区(6)上表面和P型基区(5)外侧的上表面还设有发射极(7)。

5.根据权利要求4所述的绝缘栅双极晶体管，其特征在于，所述发射极(7)包括相互连接的第一发射极(71)和第二发射极(72)；

所述第一发射极(71)位于P型基区(5)的外侧上表面，其与P型基区(5)形成肖特基接触；

所述第二发射极(72)位于N+发射区(6)上表面，且与N+发射区(6)的一部分接触连接，形成欧姆接触。

6.根据权利要求1所述的绝缘栅双极晶体管，其特征在于，所述N+发射区(6)下方和N-buffer层(10)之间的P型基区(5)内部还设有P型埋层(11)。

7.根据权利要求1所述的绝缘栅双极晶体管，其特征在于，所述P型基区(5)下方的N-漂移区(4)内部边缘位置还设有超结P柱(12)；

所述超结P柱(12)之间还设有超结N柱(13)。

8.根据权利要求6所述的绝缘栅双极晶体管，其特征在于，所述P型埋层(11)的掺杂浓度大于P型基区(5)的掺杂浓度。

9.根据权利要求7所述的绝缘栅双极晶体管，其特征在于，所述超结P柱(12)的结深小于等于超结N柱(13)的结深；

所述超结P柱(12)的掺杂浓度为1×10¹⁵cm^-3～1×10¹⁶cm^-3；

所述超结N柱(13)的掺杂浓度为5×10¹²cm^-3～2×10¹⁶cm^-3。

10.根据权利要求1所述的绝缘栅双极晶体管，其特征在于，所述N-漂移区(4)的掺杂浓度为5×10¹²cm^-3～2×10¹⁶cm^-3，其厚度为60～700μm，其宽度为10～100μm；

所述P型基区(5)的掺杂浓度为3×10¹⁶cm^-3～2×10¹⁷cm^-3，其掺杂深度为0.5～5μm；

所述N+发射区(6)的掺杂浓度为5×10¹⁸cm^-3～1×10²⁰cm^-3，其掺杂深度为0.2～0.5μm；

所述N-buffer层(10)的掺杂浓度5×10¹⁵cm^-3～1×10¹⁷cm^-3，其厚度0.2～0.5μm。