[发明专利]一种用于碳化硅CMP的抛光组合物及其制备方法

权利要求书

1.一种用于碳化硅CMP的抛光组合物，其特征在于，其各组分的质量百分含量为：

分散剂0.05％～5％，

促进剂0.1％～1.0％，

pH缓冲剂0.5％～1.0％，

润湿剂0.005％～0.1％，

络合剂0.01％～5％，

磨料5％～40％，

消泡剂0.01％～0.1％，

pH调节剂0.1％～1.0％，

余量为去离子水。

2.根据权利要求1所述的用于碳化硅CMP的抛光组合物，其特征在于，所述分散剂为聚苯乙烯马来酸酐及其衍生物。

3.根据权利要求1所述的用于碳化硅CMP的抛光组合物，其特征在于，所述分散剂为磺化苯乙烯马来酸酐共聚物(SMA)。

4.根据权利要求1所述的用于碳化硅CMP的抛光组合物，其特征在于，所述促进剂为氧化剂。

5.根据权利要求4所述的用于碳化硅CMP的抛光组合物，其特征在于，所述氧化剂选自高氯酸、高氯酸钾、高氯酸钾、氯酸钾、氯酸钠、高碘酸、高碘酸钾、高碘酸钠、碘酸、碘酸钾、过氧化氢、臭氧、过硫酸钾、过硫酸铵、过硫酸钠、硝酸钾、硝酸钠、硝酸铵的一种或几种。

6.根据权利要求1所述的用于碳化硅CMP的抛光组合物，其特征在于，所述pH缓冲剂为磷酸氢盐和磷酸盐共轭系。

7.根据权利要求1所述的用于碳化硅CMP的抛光组合物，其特征在于，所述润湿剂为炔二醇聚醚。

8.根据权利要求1所述的用于碳化硅CMP的抛光组合物，其特征在于，所述络合剂选自2-膦酸丁烷-1,2,4-三羧酸(PBTC)，氨基三甲叉膦酸(ATMP)，乙二胺四甲叉膦酸(EDTMPA)，二乙烯三胺五甲叉膦酸(DTPMPA)，多氨基多醚基甲叉膦酸(PAPEMP)，羟基乙叉二膦酸(HDPE)中的一种或几种。

9.根据权利要求1所述的用于碳化硅CMP的抛光组合物，其特征在于，所述络合剂选自脂肪族的一元酸、脂肪族的二元酸、脂肪族的多元羧酸、乙酸、草酸、柠檬酸、酒石酸、苹果酸、丙二酸、丁二酸、四乙基乙二酸中的一种或几种。

10.根据权利要求1所述的用于碳化硅CMP的抛光组合物，其特征在于，所述水为去离子水。

11.根据权利要求1所述的用于碳化硅CMP的抛光组合物，其特征在于，所述磨料为二氧化硅，磨料为球形、纺锤形或链形，粒度在60～150nm。

12.根据权利要求1所述的用于碳化硅CMP的抛光组合物，其特征在于，所述消泡剂为聚醚消泡剂。

13.根据权利要求1所述的用于碳化硅CMP的抛光组合物，其特征在于，所述pH调节剂为氢氧化钾。

14.权利要求1至13中任一项所述用于碳化硅CMP的抛光组合物的制备方法，其特征在于，将分散剂、促进剂、pH缓冲剂、润湿剂、络合剂加入水中，搅拌均匀后加入磨料，再加入消泡剂，再用pH调节剂将溶液的pH值调至11～12.5，陈化30～60分钟。