[发明专利]带多层反射膜的基板、反射型掩模坯料、反射型掩模及制造方法、及半导体装置制造方法

权利要求书

1.一种带多层反射膜的基板，其具有：

基板、

设置于该基板上的多层反射膜、以及

设置于该多层反射膜上的保护膜，

其中，所述保护膜含有钌(Ru)，并含有选自铝(Al)、钇(Y)、锆(Zr)、铑(Rh)及铪(Hf)中的至少一种添加材料，所述添加材料的含量为5原子％以上且小于50原子％。

2.根据权利要求1所述的带多层反射膜的基板，其中，

所述保护膜从所述基板侧起包含第1层和第2层，

所述第1层含有钌(Ru)，并含有选自镁(Mg)、铝(Al)、钛(Ti)、钒(V)、铬(Cr)、锗(Ge)、锆(Zr)、铌(Nb)、钼(Mo)、铑(Rh)、铪(Hf)及钨(W)中的至少一种，

所述第2层含有所述钌(Ru)和所述添加材料。

3.根据权利要求1所述的带多层反射膜的基板，其中，

所述保护膜进一步含有氮(N)。

4.根据权利要求2所述的带多层反射膜的基板，其中，

所述保护膜、所述第1层或所述第2层进一步含有氮(N)。

5.根据权利要求2所述的带多层反射膜的基板，其中，

所述第2层的Ru含量比所述第1层的Ru含量少。

6.一种反射型掩模坯料，其在权利要求1～5中任一项所述的带多层反射膜的基板的保护膜上具有吸收体膜。

7.根据权利要求6所述的反射型掩模坯料，其在所述吸收体膜上包含蚀刻掩模膜，该蚀刻掩模膜含有铬(Cr)。

8.一种反射型掩模，其包含吸收体图案，该吸收体图案是权利要求6或6所述的反射型掩模坯料中的所述吸收体膜经图案化而得到的。

9.一种反射型掩模的制造方法，该方法包括：

对权利要求7所述的反射型掩模坯料的所述蚀刻掩模膜进行图案化，形成蚀刻掩模图案；

将所述蚀刻掩模图案作为掩模，对所述吸收体膜进行图案化，形成吸收体图案；

利用氯系气体及氧气的混合气体将所述蚀刻掩模图案除去。

10.一种半导体装置的制造方法，该方法包括下述工序：

将权利要求8所述的反射型掩模设置于具有发出EUV光的曝光光源的曝光装置，对形成在被转印基板上的抗蚀膜转印转印图案。