[发明专利]一种垂直量子阱结构AlGaN深紫外LED及其制备方法

权利要求书

1.一种垂直量子阱结构AlGaN深紫外LED的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1：提供一氮化物材料生长的衬底；

步骤2：在所述衬底上生长AlN模板；

步骤3：在所述AlN模板上生长n-Al_xGa_1-xN层，其中，x≥0.45；

步骤4：在所述n-Al_xGa_1-xN层上制备n型金属接触层；

步骤5：在所述n型金属层上制备第一绝缘介电掩膜层；

步骤6：在所述第一绝缘介电掩膜层上刻蚀微米孔洞，直至所述n-Al_xGa_1-xN层；

步骤7：在刻有所述微米孔洞的全结构上继续外延n-Al_rGa_1-rN，产生n-Al_rGa_1-rN微米柱，其中，r≥0.45；

步骤8：在所述n-Al_rGa_1-rN微米柱的上方制备第二绝缘介电掩膜层；

步骤9：在所述n-Al_rGa_1-rN微米柱的侧面外延i-Al_yGa_1-yN/i-Al_zGa_1-zN多量子阱层，其中，yz≥0.45；

步骤10：在所述i-Al_yGa_1-yN/Al_zGa_1-zN多量子阱层的外侧生长i-Al_pGa_1-pN电子阻挡层，其中，py；

步骤11：在所述i-Al_pGa_1-pN电子阻挡层的外侧生长p-Al_qGa_1-qN层，其中，pqz；

步骤12：在所述p-Al_qGa_1-qN层的外侧沉积p型接触金属电极，并快速热退火处理。

2.根据权利要求1所述的垂直量子阱结构AlGaN深紫外LED的制备方法，其特征在于，生长所述AlN模板、所述n-Al_xGa_1-xN层、所述n-Al_rGa_1-rN微米柱、所述i-Al_yGa_1-yN/i-Al_zGa_1-zN多量子阱层、所述i-Al_pGa_1-pN电子阻挡层、所述p-Al_qGa_1-qN层的方法为MOCVD、MBE或HVPE中的任意一种。

3.根据权利要求1所述的垂直量子阱结构AlGaN深紫外LED的制备方法，其特征在于，所述n型金属接触层的制备方法为电子束蒸发法；

所述p型接触金属电极的制备方法为电子束蒸发法或热蒸发法；

所述微米孔洞的刻蚀方法为RIE、ICP或湿法刻蚀中的任意一种。

4.根据权利要求1所述的垂直量子阱结构AlGaN深紫外LED的制备方法，其特征在于，所述第一绝缘介电掩膜层、所述二绝缘介电掩膜层的制备方法为PECVD或ALD技术。