[发明专利]研磨垫处理方法及化学机械研磨设备

权利要求书

1.一种研磨垫处理方法，用于对铜金属CMP工艺中使用的研磨垫进行清洁，其特征在于，所述研磨垫处理方法包括：

第一步骤，向所述研磨垫表面提供氧化剂以及酸性清洗液，使所述氧化剂以及酸性清洗液在所述研磨垫上停留一段时间；

第二步骤，利用去离子水冲洗所述研磨垫。

2.如权利要求1所述的研磨垫处理方法，其特征在于，所述研磨垫上方设置有修整器，在所述第一步骤之前，使所述修整器在研磨垫上进行往复运动，以对所述研磨垫进行打磨切削。

3.如权利要求1所述的研磨垫处理方法，其特征在于，在对所述研磨垫进行清洁的过程中，使所述研磨垫作旋转运动或者垂直往复运动。

4.如权利要求3所述的研磨垫处理方法，其特征在于，所述旋转运动的转速为80～150转/min。

5.如权利要求1所述的研磨垫处理方法，其特征在于，所述氧化剂选自双氧水、过氧乙酸、重铬酸钠、铬酸、硝酸、高锰酸钾、过硫酸铵中的一种或者两种以上的混合液。

6.如权利要求5所述的研磨垫处理方法，其特征在于，所述氧化剂的溶液浓度为20％～40％。

7.如权利要求1所述的研磨垫处理方法，其特征在于，所述酸性清洗液选自盐酸、稀硝酸、稀硫酸、乙酸、氢氟酸、氨基磺酸、柠檬酸和草酸中的一种或者两种以上的混合液。

8.如权利要求1所述的研磨垫处理方法，其特征在于，所述酸性清洗液的PH值的范围为5.8～7.8。

9.如权利要求1所述的研磨垫处理方法，其特征在于，所述第一步骤中，仅向所述研磨垫表面提供稀硝酸，利用所述稀硝酸作为所述氧化剂和酸性清洗液。

10.一种化学机械研磨设备，其特征在于，用于执行铜金属CMP工艺以及如权利要求1至9任一项所述的研磨垫处理方法，所述化学机械设备具有研磨平台和溶液供给单元，所述研磨平台上贴附有研磨垫，所述溶液供给单元包括出液口均朝向所述研磨垫的第一供液管路、第二供液管路以及第三供液管路，所述第一供液管路用于提供研磨液，所述第二供液管路用于提供氧化剂，所述第三供液管路用于提供酸性清洗液。