[发明专利]一种可调多极化多波束馈源系统和天线在审

专利信息
申请号: 202011057086.3 申请日: 2020-09-30
公开(公告)号: CN112397894A 公开(公告)日: 2021-02-23
发明(设计)人: 修威;田海燕;杨光 申请(专利权)人: 北京华镁钛科技有限公司
主分类号: H01Q1/50 分类号: H01Q1/50;H01Q15/24;H01Q1/36;H01Q23/00;H01Q25/00;H01Q19/06;H01Q15/02
代理公司: 北京中政联科专利代理事务所(普通合伙) 11489 代理人: 郑久兴
地址: 100094 北京市海淀*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 可调 多极化 波束 馈源 系统 天线
【权利要求书】:

1.一种可调多极化多波束馈源系统,其特征在于,包括:

馈源;以及

多个极化调节单元,多个所述极化调节单元的一端均与所述馈源连接,以将多路信号输入所述馈源;

多条传输线,多条所述传输线分别与多个所述极化调节单元的另一端一一对应连接,以传输所述多路信号;

多个辐射单元,均与所述传输线连接;

控制单元,与所述馈源、所述传输线和所述辐射单元连接,用于调节多个所述极化调节单元的通断状态,以及多个所述辐射单元的通断状态。

2.如权利要求1所述的系统,其特征在于,所述控制单元包括:

第一控制模块,与所述馈源连接;

多个第二控制模块,每个所述第二控制模块与每条所述传输线对应连接;

其中,所述第一控制模块和所述第二控制模块共同控制所述极化调节单元的通断状态。

3.如权利要求2所述的系统,其特征在于,第一控制模块包括:

第一阻抗传输线,与所述馈源连接;

第一阻抗射频接地结构,与所述第一阻抗传输线连接,且所述第一阻抗射频接地结构与所述馈源间隔一定距离;

所述距离满足条件式:(1/4+n)*W;

其中,n表示参数,n=0,1,2…n+1,W表示电磁波在介质中的波长。

4.如权利要求2所述的系统,其特征在于,第二控制模块包括:

第二阻抗传输线,与所述传输线连接;

第二阻抗射频接地结构,与所述第二阻抗传输线连接,且所述第二阻抗射频接地结构与所述传输线间隔一定距离;

所述距离满足条件式:(1/4+n)*W(n=0,1,2…);

其中,n表示参数,n=0,1,2…n+1,W表示电磁波在介质中的波长。

5.如权利要求2所述的系统,其特征在于,所述辐射单元包括:

辐射片,其通过电磁感应元件与所述传输线连接;

控制开关,一端与所述辐射片连接,另一端连接有电容;

其中,所述控制单元还包括第三控制模块,所述第三控制模块与所述控制开关连接,所述第三控制模块与所述第二控制模块共同控制所述控制开关的通断状态。

6.如权利要求1所述的系统,其特征在于,

所述馈源、多个所述极化调节单元和多条所述传输线共同构成放射状结构;

所述馈源为所述放射状结构的圆心,多个所述极化调节单元绕所述馈源周向布置;

多个所述辐射单元分布在所述传输线的两侧。

7.如权利要求6所述的系统,其特征在于,

所述传输线的一侧间隔布置有多个所述辐射单元,所述传输线的另一侧间隔布置有多个所述辐射单元;

所述一侧与所述另一侧的所述辐射单元一一对称。

8.如权利要求5所述的系统,其特征在于,

所述极化调节单元和所述控制开关为PIN二极管、可变电容二极管、CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor,互补金属氧化物半导体)、MEMS(Micro-Electro-Mechanical System,微机电系统)和电压控制电容特性或开关特性的液晶全息结构中的一种。

9.如权利要求1所述的系统,其特征在于,

所述馈源为圆形、方形或多边形的金属片。

10.一种天线,其特征在于,包括权利要求1-9中任一项所述的可调多极化多波束馈源系统,还包括:

金属层,以及铺设于所述金属层表面的介质层;

所述可调多极化多波束馈源系统设于所述介质层表面;

透镜,设置于所述可调多极化多波束馈源系统的波束行进的方向上,用于对所述波束进行整形。

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