[发明专利]显示面板及其制造方法

权利要求书

1.一种显示面板的制造方法，其特征在于，包括：

提供基板，所述基板一侧表面形成有呈阵列分布的多个微发光二极管；

在所述基板上形成第一涂层，且所述第一涂层覆盖多个所述微发光二极管及所述基板的所述表面；

在所述第一涂层上形成具有多个第一开口的阻挡层，且所述微发光二极管在所述基板的正投影与所述第一开口在所述基板的正投影至少部分重叠；

刻蚀所述第一涂层，以具有多个所述第一开口的所述阻挡层作为掩膜去除所述第一涂层的通过所述第一开口暴露的部分，以形成具有多个第二开口的阻隔物层，所述微发光二极管通过所述第二开口露出，所述阻隔物层隔开所述微发光二极管。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，

所述在所述基板上设置第一涂层，且所述第一涂层覆盖多个所述微发光二极管及所述基板的所述表面的步骤中，

所述第一涂层为负性光刻胶；

优选的，在所述基板的厚度方向上，所述第一涂层的厚度大于或等于所述微发光二极管的高度。

3.根据权利要求1或2所述的制造方法，其特征在于，

在所述刻蚀所述第一涂层步骤中，

采用等离子体刻蚀方法去除所述第一涂层的通过所述第一开口暴露的部分；

优选的，采用O₂等离子体刻蚀方法。

4.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，

在所述刻蚀所述第一涂层步骤之后，

所述制造方法还包括去除所述阻隔物层上方的所述阻挡层的步骤；

优选的，在所述去除所述阻隔物层上方的所述阻挡层的步骤中，采用Cl₂，BCl₃，HBr，HCl，CF₄，HF中的一种或多种气体干刻蚀方法去除或者湿刻蚀方法去除所述阻隔物层上方的所述阻挡层。

5.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，

所述在所述第一涂层上形成具有多个第一开口的阻挡层的步骤包括：

在所述第一涂层上形成第二涂层；

在所述第二涂层背向所述第一涂层的一侧形成具有多个第三开口的图案化掩膜层，并使所述微发光二极管在所述基板的正投影与所述第三开口在所述基板的正投影至少部分重叠；

以所述图案化掩膜层为掩膜去除所述第二涂层通过所述第三开口暴露的部分以形成具有多个所述第一开口的所述阻挡层。

6.根据权利要求5所述的制造方法，其特征在于，

所述以所述图案化掩膜层为掩膜去除所述第二涂层通过所述第三开口暴露的部分以形成具有多个所述第一开口的所述阻挡层步骤中，

采用Cl₂，BCl₃，HBr，HCl，CF₄，HF中的一种或多种气体干刻蚀方法去除或者湿刻蚀方法去除所述第二涂层的通过所述第三开口暴露的部分。

7.根据权利要求1-6中任一项所述的制造方法，其特征在于，

所述在所述第一涂层上形成具有多个第一开口的阻挡层，且所述微发光二极管在所述基板的正投影与所述第一开口在所述基板的正投影至少部分重叠的步骤中，

所述微发光二极管在所述基板的正投影位于所述第一开口在所述基板的正投影之内。

8.一种显示面板，其特征在于，包括：

基板，所述基板一侧表面设有呈阵列分布的多个微发光二极管；

阻隔物层，所述阻隔物层具有多个第二开口，所述微发光二极管通过所述第二开口露出，所述阻隔物层隔开所述微发光二极管；

阻挡层，所述阻挡层位于所述阻隔物层上。

9.根据权利要求8所述的显示面板，其特征在于，

所述阻隔物层为负性光刻胶；

优选的，在所述基板的厚度方向上，所述阻隔物层的厚度大于或等于所述微发光二极管的高度。

10.根据权利要求8所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括图案化掩膜层，所述图案化掩膜层位于所述阻挡层上；

在所述基板的厚度方向上，层叠设置的所述阻隔物层、所述阻挡层及所述图案化掩膜层的总厚度大于或等于所述微发光二极管的高度；

所述微发光二极管的高度为5um～10um。