[发明专利]压力传感器

说明书

本发明提供一种压力传感器，在同时测量多个压力的压力传感器中抑制由温度、静压引起的零点漂移。压力传感器(1)在传感器芯片(10)的内部形成有两个膜片(32、33)、以分别与膜片(32、33)的上表面相接的方式配置的成为第1压力导入室的凹陷部(40、41)、以及以分别与膜片(32、33)的下表面相接的方式配置的成为第2压力导入室的凹陷部(30、31)。进而，以在被施加至膜片(32(33))的上表面和下表面的压力之差为零时，使由设置于膜片(32(33))的应变片(34‑1～34‑4(35‑1～35‑4))构成的惠斯通电桥电路的输出电压成为零的方式，将空洞(220(230))设置于传感器芯片(10)。

技术领域

本发明涉及压力传感器。

背景技术

以往，作为检测差压或者压力的压力传感器，已知有在作为感压部的半导体膜片上形成有压电电阻的半导体压阻式压力传感器(参考专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开平9-304206号公报

发明内容

发明要解决的课题

例如专利文献1所记载的半导体压力变换器(相当于压力传感器。)具有1个膜片，通过采用对象结构，能够使基于温度、静压引起的零点漂移与零点漂移的偏差成为最小。

另一方面，在假定具备多个膜片的压力传感器、即能够进行同种或者异种的多个压力的检测的、将多个功能进行集成化的压力传感器的情况下，该压力传感器无法采用对象结构。因此，无法将专利文献1所记载的技术应用于具备多个膜片的压力传感器。因而，即使使用了专利文献1所记载的技术，也难以同时实现多个功能的集成化和传感器的精度的下降的抑制。

本发明的目的在于提供能够实现多个功能的集成化并抑制传感器的精度的下降的、新颖且改良的压力传感器。

用于解决课题的技术手段

本发明的压力传感器的特征在于，具备平板状的传感器芯片，在所述传感器芯片的内部形成有：多个膜片；多个第1压力导入室，它们以分别与所述多个膜片的上表面相接的方式配置；多个第2压力导入室，它们以分别与所述多个膜片的下表面相接的方式配置；第1压力导入通路，其一端在所述传感器芯片的下表面开口，另一端与所述多个第1压力导入室中的至少1个所述第1压力导入室连通；第2压力导入通路，其一端在所述传感器芯片的下表面或者侧面开口，另一端与所述多个第2压力导入室中的至少1个所述第2压力导入室连通；以及应变片，其在所述多个膜片各自的边缘部针对每1个膜片而配置有多个，进而，以在被施加至所述膜片的上表面和下表面的压力之差为零时，使由设置于所述膜片的多个应变片构成的惠斯通电桥电路的输出电压成为零的方式，在所述多个膜片的周边，针对每1个膜片而形成有至少1个空洞。

另外，本发明的压力传感器的1个构成例(第1实施例)的特征在于，所述膜片、所述第1压力导入室以及所述第2压力导入室各形成有两个，所述第1压力导入通路的一端在所述传感器芯片的下表面开口，从两个所述第1压力导入室之间的位置分支的两个另一端分别与两个所述第1压力导入室连通，所述第2压力导入通路的一端在所述传感器芯片的下表面开口，另一端与两个所述第2压力导入室中的1个所述第2压力导入室连通。

另外，本发明的压力传感器的1个构成例(第2实施例)的特征在于，所述膜片、所述第1压力导入室以及所述第2压力导入室各形成有两个，所述第1压力导入通路的一端在所述传感器芯片的下表面开口，从两个所述第1压力导入室之间的位置分支的两个另一端分别与两个所述第1压力导入室连通，所述第2压力导入通路的一端在所述传感器芯片的下表面开口，从两个所述第2压力导入室之间的位置分支的两个另一端分别与两个所述第2压力导入室连通。