[发明专利]半导体器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202011054990.9 | 申请日： | 2020-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN112103189A | 公开（公告）日： | 2020-12-18 |
| 发明（设计）人： | 于涛 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，所述半导体器件的制备方法包括：
提供一半导体衬底；
在所述半导体衬底中形成第一导电类型的第一阱区；
在所述第一阱区中形成第二导电类型的第一阈值电压调整区；
在所述第一阱区中形成第二导电类型的第二阱区，所述第一阈值电压调整区位于所述第二阱区上；
在所述第一阱区和所述第二阱区中形成第一导电类型的第二阈值电压调整区，所述第二阈值电压调整区与所述第一阈值电压调整区部分重叠；以及，
在所述第二阈值电压调整区上形成栅极结构。
2.如权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，通过离子注入工艺形成所述第二阈值电压调整区，所述离子注入工艺的注入能量为10keV～50keV。
3.如权利要求2所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述离子注入工艺的离子注入浓度为2E12/cm2～10E12/cm2。
4.如权利要求2所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述离子注入工艺采用的离子为磷离子、锑离子和砷离子中的至少一种。
5.如权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述第一阱区和所述第二阈值电压调整区中均掺杂有第一导电类型的离子，所述第二阱区和所述第一阈值电压调整区中均掺杂有第二导电类型的离子。
6.如权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述第一导电类型与所述第二导电类型的导电类型相反。
7.如权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，在所述半导体衬底中形成第一阱区之后，在所述半导体衬底中形成第二导电类型的第一阈值电压调整区之前，所述半导体器件的制备方法还包括：
在所述第一阱区中形成浅沟槽隔离结构。
8.如权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述栅极结构包括依次层叠的栅氧化层和栅极。
9.如权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述半导体器件的制备方法还包括，形成源区和漏区，所述源区和漏区分别位于所述栅极结构两侧的所述半导体衬底中。
10.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：
半导体衬底；
形成于所述半导体衬底中的第一导电类型的第一阱区；
形成于所述第一阱区中的第二导电类型的第一阈值电压调整区；
形成于所述第一阱区中的第二导电类型的第二阱区，所述第一阈值电压调整区位于所述第二阱区上；
形成于所述第一阱区和所述第二阱区中的第一导电类型的第二阈值电压调整区，所述第二阈值电压调整区与所述第一阈值电压调整区部分重叠；
形成于所述第二阈值电压调整区上的栅极结构。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
