[发明专利]一种切片单晶硅电池的制备方法

说明书

本发明属于晶体硅太阳电池领域，涉及一种切片单晶硅电池的制备方法，先将硅片用激光沿着垂直于硅片拉丝线痕方向的中心线进行切割，然后将硅片裂开，得到半片硅片，再将半片硅片制作成成品电池。本发明可以显著减弱由于激光切割导致的成品太阳能电池填充因子下降，减少切半效率损失，提高切半组件的功率。

技术领域

本发明属于晶体硅太阳电池领域，涉及一种切片单晶硅电池的制备方法。

背景技术

随着太阳能电池技术的发展，切片电池得到了研究。现有的切片电池多为制备完全的整片电池切割而成，但是在切割以及裂片过程中不可避免地会对电池片造成损伤，使得切片电池的效率降低。

最近，部分企业使用更大尺寸的硅片做太阳电池，如210mm*210mm的硅片，制作组件时会将太阳电池用激光一切为三，必然使得两个边都是激光切割面的那片太阳电池片效率降低更多，从而引起电池片串焊失配。同样地，叠瓦组件要求将一片太阳电池切割为多份，电池片效率降低更为显著。

发明内容

本发明的目的是针对上述问题，提供一种切片单晶硅电池的制备方法。

为达到上述目的，本发明采用了下列技术方案：

一种切片单晶硅电池的制备方法，先将硅片用激光沿着垂直于硅片拉丝线痕方向的中心线进行切割，然后将硅片裂开，得到半片硅片，再将半片硅片制作成成品电池。

进一步的，所述的激光为低功率开模激光。

进一步的，所述的激光功率为4-6W，所述的激光切割的光斑大小为5-50μm，激光切割线位于中心线位置的±200μm内，硅片裂开采用机械裂片、热激光裂片或热应力裂片。

进一步的，所述的成品电池为p型衬底的晶体硅太阳电池或n型衬底的晶体硅太阳电池。

进一步的，所述的成品电池为PERC太阳电池，半片硅片依次经过硅片清洗制绒、磷扩散、激光选择性发射极、热氧化、背面清洗、抛光、热氧化、背表面AlOx钝化、背表面SiNx沉积、前表面SiNx沉积、丝网印刷、退火、测试分选和半片电池封装成组件的步骤后得到PERC太阳电池。

进一步的，所述的PERC太阳电池包括PERC电池p型硅基底，在PERC电池p型硅基底正面由内而外依次沉积有磷扩散发射极和PERC电池减反射膜，PERC电池前电极穿过PERC电池减反射膜连接第一磷扩散发射极，在PERC电池p型硅基底反面由内而外依次沉积有PERC电池背面第一钝化层和PERC电池背面第二钝化层，PERC电池背面电极连接PERC电池背面第二钝化层。

进一步的，所述的成品电池为TOPCon太阳电池，半片硅片依次经过硅片清洗制绒、硼扩散、背面清洗、去背面p-n结、氧化、背面LPCVD沉积poly-Si薄膜、poly-Si n型掺杂、湿法清洗、前后表面介质膜钝化和减反射膜沉积、丝网印刷、烧结、测试分选和半片电池封装成组件的步骤后得到TOPCon太阳电池。

进一步的，所述的TOPCon太阳电池包括TOPCon太阳电池n型硅基底，在TOPCon太阳电池n型硅基底正面由内而外依次沉积有第二磷扩散发射极和TOPCon太阳电池减反射膜，TOPCon太阳电池前电极穿过TOPCon太阳电池减反射膜后连接第二磷扩散发射极，在TOPCon太阳电池n型硅基底背面由内而外依次沉积有隧穿氧化层、磷掺杂多晶硅薄膜和背面SiNx:H薄膜，TOPCon太阳电池背面电极穿过背面SiNx:H薄膜后连接磷掺杂多晶硅薄膜。

进一步的，所述的成品电池为HIT太阳电池，半片硅片依次经过硅片清洗制绒、PECVD生长前后表面本征非晶硅层和掺杂非晶硅层、前后TCO导电膜沉积、丝网印刷、烧结、退火、测试分选和半片电池封装成组件的步骤后得到HIT太阳电池。