[发明专利]一种异质结电池及其制备方法和组件

权利要求书

1.一种异质结电池，其特征在于，衬底的一面从内到外依次生长有第一本征非晶硅层和N型掺杂非晶硅层，衬底的另一面从内到外依次生长有第二本征非晶硅层和P型掺杂非晶硅层；N型掺杂非晶硅层上沉积第一透明导电氧化物层，P型掺杂非晶硅层上沉积第二透明导电氧化物层；第一透明导电氧化物层的一面和第二透明导电氧化物层的一面各与金属网固定；第一透明导电氧化物层和第二透明导电氧化物层上均沉积有介电薄膜；其中，金属网由若干互相垂直的第一金属丝和第二金属丝组成。

2.如权利要求1所述的异质结电池，其特征在于，所述第一金属丝和第二金属丝的材质为铜、银、金、锡和铝中的一种或几种。

3.如权利要求1所述的异质结电池，其特征在于，所述第一金属丝的直径大于或等于第二金属丝的直径；单根第一金属丝和单根第二金属丝的尺寸范围均为0.1mm～10mm。

4.如权利要求1所述的异质结电池，其特征在于，所述第一金属丝和第二金属丝的截面形状为长方体、正方体、圆柱形和三角形中的一种。

5.如权利要求1所述的异质结电池，其特征在于，所述金属网的一面涂覆有粘结材料，第一透明导电氧化物层的一面和第二透明导电氧化物层的一面各与金属网涂覆有粘结材料的一面固定。

6.如权利要求5所述的异质结电池，其特征在于，所述粘结材料选用导电胶、高温易挥发的有机材料或者含有Ag颗粒的纳米材料中的一种或几种。

7.如权利要求6所述的异质结电池，其特征在于，所述高温易挥发的有机材料为聚乙烯及乙烯共聚物热熔胶。

8.如权利要求1所述的异质结电池，其特征在于，所述第一透明导电氧化物层和第二透明导电氧化物层选用ITO薄膜、IWO薄膜、AZO薄膜、FTO薄膜、In₂O₃:ZnO薄膜或者SnO₂薄膜中的一种或几种。

9.如权利要求1所述的异质结电池，其特征在于，所述第一本征非晶硅层的厚度为1～10nm；N型掺杂非晶硅层的厚度为1～30nm；所述第二本征非晶硅层的厚度为1～10nm；P型掺杂非晶硅层的厚度为1～30nm。

10.如权利要求1所述的异质结电池，其特征在于，所述介电薄膜为SiN薄膜、SiO_x、AlO_x、MgF₂和TiO₂中的一种或者几种。

11.如权利要求1～10任一所述的异质结电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)对衬底进行制绒处理，得到制绒衬底；

2)在制绒衬底的一面生长第一本征非晶硅层和N型掺杂非晶硅层，生长温度为100～250℃；接着在制绒衬底的另一面生长第二本征非晶硅层和P型掺杂非晶硅层，生长温度为100～250℃；

3)在N型掺杂非晶硅层沉积第一透明导电氧化物层，在P型掺杂非晶硅层沉积第二透明导电氧化物层，第一透明导电氧化物层和第二透明导电氧化物层的生长温度均为25～250℃；

4)分别在第一透明导电氧化物层和第二透明导电氧化物层上固定金属网；

5)分别在第一透明导电氧化物层和第二透明导电氧化物层上沉积介电薄膜，生长温度25～250℃，得到异质结电池。

12.如权利要求11所述的异质结电池的制备方法，其特征在于，步骤3)中，采用磁控溅射、反应等离子体沉积、电子束蒸发中的一种沉积方法来沉积第一透明导电氧化物层和第二透明导电氧化物层。

13.如权利要求11所述的异质结电池的制备方法，步骤5)中，所述介电薄膜的厚度为1～70nm。

14.一种异质结电池组件，其特征在于，通过权利要求10～12任一所述的方法制备得到异质结电池后，选取至少两个同档位同效率的异质结电池，采用具有粘结性的导电材料粘结在所述异质结电池的首尾两端，将相邻两个所述异质结电池的正负极相连，得到异质结电池组件。