[发明专利]一种Al2O3陶瓷生坯的生产方法在审

专利信息
申请号: 202011044195.1 申请日: 2020-09-28
公开(公告)号: CN112062548A 公开(公告)日: 2020-12-11
发明(设计)人: 田茂标;刘瑞生;陈书生;司志淑;赵显萍 申请(专利权)人: 成都万士达瓷业有限公司
主分类号: C04B35/10 分类号: C04B35/10;C04B35/622;C04B35/626
代理公司: 成都天嘉专利事务所(普通合伙) 51211 代理人: 苏丹
地址: 611332 四川省*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 al2o3 陶瓷 生坯 生产 方法
【说明书】:

发明属于一种Al2O3陶瓷生坯的生产方法,其特征在于制造步骤如下:A.将原料进行球磨成粉;B.步骤A得到的粉料进行烘干;C.待步骤B结束之后对其粉料进行除铁;D.将熬制的粘合剂与步骤C中得到的粉料进行混合;E.对步骤D得到的混合料进行初碾,出碾之后放入烤房进行烘烤;F.对步骤E初碾烘烤过后的混合料进行精碾,同时进行尺寸检测;G.将通过步骤F得到的混合料进行冲片形成生坯;H.将经过步骤G冲片后的生坯进行尺寸检测,将尺寸合格的生坯筛选出。

技术领域

本发明属于半导体技术领域,具体为一种Al2O3陶瓷生坯的生产方法。

背景技术

随着功率电子器件的发展,电路板集成度与工作频率不断提高,散热问题已成为功率电子器件发展中必须要解决的关键问题。陶瓷基片是大功率电子器件、集成电路基片的封装材料,是功率电子、电子封装与多芯片模块等技术中的关键配套材料,其性能决定着模块的散热效率和可靠性。

低氧铜烧结DBC半导体热电基片由于具有高导热性、高电绝缘性、电流容量大、机械强度高、与硅芯片相匹配的温度特性等特点,因此被广泛应用于航天、军工、汽车等特殊电子行业,用来做功率芯片的绝缘与散热。

现有工艺是采用Al2O3陶瓷基片与经过氧化处理后的覆铜烧结,其中无氧铜氧化处 理工艺复杂难以控制氧化的一致性,所以价格十分昂贵,无氧铜烧结DBC半导体热电基片售 价是低氧铜烧结DBC半导体热电基片售价的5倍左右。

发明内容

针对上述现有技术中的不足,本发明提供了一种Al2O3陶瓷生坯的生产方法。

一种Al2O3陶瓷生坯的生产方法,其特征在于制造步骤如下:

A.将原料进行球磨成粉;

B.步骤A得到的粉料进行烘干;

C.待步骤B结束之后对其粉料进行除铁;

D.将熬制的粘合剂与步骤C中得到的粉料进行混合;

E.对步骤D得到的混合料进行初碾,出碾之后放入烤房进行烘烤;

F.对步骤E初碾烘烤过后的混合料进行精碾,同时进行尺寸检测;

G.将通过步骤F得到的混合料进行冲片形成生坯;

H.将经过步骤G冲片后的生坯进行尺寸检测,将尺寸合格的生坯筛选出。

所述原料组成包括:氧化铝、烧滑石、白火泥、氧化镧、碳酸锶、水和瓷球。

所述原料组成按照质量份数分布如下:

氧化铝 70000份;

烧滑石 1036份;

白火泥 952份;

氧化镧 470份;

碳酸锶 254份;

水 36000份;

瓷球 84000份。

所述球磨的详细步骤为:将原料混入容器中,运行设备进行球磨工艺52小时,将水料放入料箱沉淀24小时后抽水;抽水后装入料盒,放入烘箱180℃--200℃烘,烘干42--46小时,烘干的料加入干粉球磨机粉碎筛粉,每次加入250--300KG烘干料+300KG瓷球,干磨时间30分钟。

所述烘干的详细时间为:夏天42小时,冬天烘46小时。

所述除铁步骤采用磁铁进行除铁。

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