[发明专利]一种碳化硅晶片的多线切割系统及切割方法

说明书

本发明公开了一种碳化硅晶片的多线切割系统及切割方法，其中，所述碳化硅晶片的多线切割系统，包括：固定平台；切割平台，与所述固定平台连接，所述切割平台用于将碳化硅晶体切割成碳化硅晶片；张力调控机构，通过钢线网与所述切割平台连接，所述张力调控机构用于调节所述钢线网的张力；切削液喷嘴，连接在所述固定平台上，所述切削液喷嘴用于将切削液喷洒到所述切割平台上；循环监控池，与所述切割平台连接；冷却系统，与所述切割平台和所述循环监控池连接。本发明能够提高晶片质量，有利于统一碳化硅晶片的面型。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种碳化硅晶片的多线切割系统及切割方法。

背景技术

目前，碳化硅单晶材料主要有导通型衬底和半绝缘衬底两种。高质量、大尺寸的碳化硅单晶材料是碳化硅技术发展首要解决的问题。随着碳化硅单晶片尺寸的提升，从四英寸到六英寸，加工难度也逐渐变大。在实际生产过程中，生产良率的高低、产品面型的控制，直接影响着碳化硅晶片的成本和产品质量(量子效率、出光效率及产品功率等)。因此，材料加工过程中的控制尤其重要，在衬底生产时，线切割对于晶片生产由为关键，不仅对切割后产品的厚度、总厚度变化、弯曲度和翘曲度等数值有具体要求，同时切割后产品的面型控制也会影响到研磨抛光对产品的弯曲度和翘曲度的控制和面型统一控制。另外，现有的切割装置大多不能很好的控制钢线网的张力，而且不能充分的利用切削液来进行切割。

发明内容

鉴于上述现有技术的缺陷，本发明提出一种碳化硅晶片的多线切割系统及切割方法，能够明显提高晶片质量，能够使得切割时钢线网的张力均匀，而且有利于统一碳化硅晶片的面型。

为实现上述目的及其它目的，本发明提供一种碳化硅晶片的多线切割系统，包括：

固定平台；

切割平台，与所述固定平台连接，所述切割平台用于将碳化硅晶体切割成碳化硅晶片；

张力调控机构，通过钢线网与所述切割平台连接，所述张力调控机构用于调节所述钢线网的张力；

切削液喷嘴，连接在所述固定平台上，所述切削液喷嘴用于将切削液喷洒到所述切割平台上；

循环监控池，与所述切割平台连接；

冷却系统，与所述切割平台和所述循环监控池连接；

其中，所述张力调控机构包括张力轮和至少两个并排设置的导线轮，所述张力轮的竖直中心线与所述至少两个并排设置的导线轮的横向中心连线垂直；

所述张力轮通过张力臂与所述固定平台连接，所述张力臂能带动所述张力轮在竖直方向呈钟摆式摆动。

在一实施例中，所述固定平台呈竖直放置的圆盘状。

在一实施例中，所述循环监控池包括：

沉淀池，与所述切割平台进行连接；

过滤装置，位于所述沉淀池的顶端，所述过滤装置上设置有进液口；

搅拌监控池，与所述沉淀池并排连接，所述搅拌监控池用于存储从所述沉淀池流入的切削液；

导液通道，连通所述沉淀池的顶端和所述搅拌监控池的顶端。

在一实施例中，所述搅拌监控池内设置有搅拌桨。

在一实施例中，所述切割平台包括：

第一槽轮，横向固定在所述固定平台上；

第二槽轮，与所述第一槽轮并排设置，所述第二槽轮固定在所述固定平台上；

钢线网，缠绕在所述第一槽轮、所述第二槽轮和所述张力调控机构上。