[发明专利]一种封装方法及封装结构在审
| 申请号: | 202011042495.6 | 申请日: | 2020-09-28 |
| 公开(公告)号: | CN112435969A | 公开(公告)日: | 2021-03-02 |
| 发明(设计)人: | 周云;曾昭孔;郭瑞亮 | 申请(专利权)人: | 苏州通富超威半导体有限公司 |
| 主分类号: | H01L23/31 | 分类号: | H01L23/31;H01L23/495;H01L23/498 |
| 代理公司: | 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 11435 | 代理人: | 郭栋梁 |
| 地址: | 215000 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 封装 方法 结构 | ||
1.一种封装方法,其特征在于,包括:
提供封装结构,所述封装结构包括至少一个芯片和包裹所述芯片侧面的塑封体;
至少在所述芯片的背面沉积导热金属层;
在所述导热金属层上设置散热件,所述散热件与所述导热金属层热传导连接。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述至少在所述芯片的背面沉积导热金属层,具体为:
在所述芯片的背面涂覆光刻胶,将所述光刻胶进行图案化,形成暴露所述塑封体的开口,在所述开口内设置金属附着强化剂层;
去除所述光刻胶;
沉积所述导热金属层,所述导热金属层覆盖所述芯片的背面及所述塑封体。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述金属附着力强化剂层的材料包括高磷酸酯聚合物、钛酸酯类聚合物。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述至少在所述芯片的背面沉积导热金属层,具体为:
在所述芯片的背面涂覆光刻胶,将所述光刻胶进行图案化,形成暴露所述芯片背面的开口,在所述开口内沉积所述导热金属层,并去除所述光刻胶。
5.根据权利要求1-4任一所述的方法,其特征在于,所述导热金属层的材料包括金、银、铜、铬、钛、镍、钯中的至少一种。
6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述至少在所述芯片的背面沉积导热金属层与在所述导热金属层上设置散热件之间包括:
提供基板,将背面沉积有所述导热金属层的所述芯片倒装设置在所述基板上。
7.根据权利要求1-4任一所述的方法,其特征在于,所述在所述导热金属层上设置散热件包括:
在所述导热金属层与所述散热件之间设置金属接合层;
将上述结构进行热处理,使所述导热金属层、散热件均与所述金属接合层热传导连接。
8.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,所述金属接合层包括金合金,所述金合金包括金硅合金、金锡合金、金锗合金。
9.一种封装结构,其特征在于,根据权利要求1-8任一所述的方法形成,包括:
至少一个芯片,所述芯片的侧面包围有塑封体;
导热金属层;至少形成在所述芯片的背面,在所述导热金属层上设置有散热件,所述散热与所述导热金属层热传导连接。
10.根据权利要求9所述的封装结构,其特征在于,所述导热金属层还包括位于所述塑封体上方的部分,且所述塑封体与所述导热金属层之间还形成有金属附着力强化剂层。
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