[发明专利]阵列基板的制造方法、阵列基板及显示面板

权利要求书

1.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：

在衬底基板上沉积并形成栅极和扫描线；

在所述栅极和所述扫描线上形成栅极绝缘层；

在所述栅极绝缘层上沉积半导体层，并对所述半导体层进行刻蚀工艺，以形成半导体图形，其中，所述半导体图形包括第一半导体图形和第二半导体图形，所述第一半导体图形和所述栅极对应；

在所述半导体图形的上方沉积源漏极金属层，并对所述源漏极金属层进行刻蚀工艺，以形成源极、漏极和数据线，其中，所述源极和所述漏极对应所述第一半导体图形，所述数据线和所述第二半导体图形对应；

对所述半导体层进行刻蚀工艺的掩膜版和对所述源漏极金属层进行刻蚀工艺的掩膜版的开口的至少部分边缘平齐，以使所述第二半导体图形和所述数据线具有相互重合的边缘；

形成所述数据线包括：

在所述半导体图形的上方沉积源漏极金属层，并对所述源漏极金属层进行刻蚀工艺，以使所述数据线的边缘和所述第二半导体图形的边缘重合。

2.根据权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述对所述半导体层进行刻蚀工艺，以形成半导体图形，具体包括：通过灰色调掩膜版或半色调掩膜版形成所述半导体图形，其中，所述灰色调掩膜版或所述半色调掩膜版具有完全透光区域、半透光区域和不透光区域。

3.根据权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述对所述半导体层进行刻蚀工艺，以形成半导体图形，具体包括：通过全掩膜版形成所述半导体图形，其中，所述全掩膜版具有完全透光区域和不透光区域。

4.根据权利要求2或3所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述对所述源漏极金属层进行刻蚀工艺，以形成源极、漏极和数据线，具体包括通过全掩膜版工艺形成所述源极、所述漏极和所述数据线。

5.根据权利要求4所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述半导体层为金属氧化物半导体层。

6.一种阵列基板，通过权利要求1-5任一项所述的阵列基板的制造方法制造而成，其特征在于，包括层叠设置的衬底基板和薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括依次层叠设置的栅极、栅极绝缘层、半导体层和源漏极金属层，所述源漏极金属层包括源极、漏极以及数据线；

所述半导体层包括第一半导体图形和第二半导体图形，所述第一半导体图形与所述栅极对应设置，并形成与所述源极和所述漏极接触的有源层，所述第二半导体图形和所述数据线对应设置；

所述数据线的边缘和所述第二半导体图形的边缘重合。

7.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求6所述的阵列基板。