[发明专利]一种LED芯片测试驱动电路、制作方法及芯片测试方法

说明书

本发明涉及一种LED芯片测试驱动电路、制作方法及芯片测试方法。LED芯片测试驱动电路包括若干P电极层、若干N电极层、若干P电极电路及若干N电极电路，用于将LED芯片阵列中同列芯片的P电极电连接并引出统一接线端以及同行LED芯片的N电极电连接并引出统一接线端。本发明通过在完成LED芯片制作的LED晶圆上直接制作LED芯片测试驱动电路，可通过外接无源选址驱动扫描电信号、以无源选址驱动模式快速逐点测试LED晶圆上的LED芯片，不需要点测机，可节约巨额的设备投资，极大的降低芯片测试成本，同时大幅度提高芯片测试能力、芯片测试速度，进而可大幅度降低芯片生产成本、提高芯片生产效率。

技术领域

本发明涉及LED芯片技术领域，特别是一种LED芯片测试驱动电路、制作方法及芯片测试方法。

背景技术

目前，现有技术中LED芯片测试主要采用探针台，将钨质探针压在芯片的电极上，完成探针与芯片的电气连接，加电进行光电性能测试。目前一张4寸LED晶圆上的芯片根据芯片尺寸的不同，芯片数量在几百至几十万粒不等，每个芯片都需要加电测量光、电参数，当前LED芯片测试采用的探针机械运动物理接触芯片电极测试方法，主流探针测试设备的测试能力为10万粒芯片/台机/小时，测试效率低，每台设备价格约在30万元人民币，一般每个芯片厂需购置几百到几千台点测机设备，芯片测试设备成本高，导致LED芯片生产效率低、生产成本高。

发明内容

本发明的主要目的是克服现有技术的缺点，提供一种可极大的提升芯片测试效率、降低芯片测试成本，进而大幅度降低芯片生产成本、提高芯片生产效率的LED芯片测试驱动电路、制作方法及芯片测试方法。

本发明采用如下技术方案：

一种LED芯片测试驱动电路，设置于LED晶圆上，LED晶圆上分布有制作完成的LED芯片阵列，LED芯片测试电路包括若干P电极层、若干N电极层、若干P电极电路及若干N电极电路，P电极层复合于各LED芯片的P电极上并与P电极电连接，N电极层复合于各LED芯片的N电极上并与N电极电连接，P电极电路与LED芯片阵列中同一列的LED芯片对应的若干P电极层电连接、用于将整列LED芯片的P电极电连接并引出统一接线端，N电极电路与LED芯片阵列中同一行的LED芯片对应的若干N电极层电连接、用于将整行LED芯片的N电极电连接并引出统一接线端，P电极电路与N电极电路之间绝缘设置。

进一步地，所述P电极层与P电极电路一体成型，N电极层与N电极电路一体成型。

进一步地，所述P电极电路与N电极电路之间通过设置绝缘层或形成一定间隙绝缘设置。

一种LED芯片测试驱动电路制作方法，依次包括以下步骤：

①在完成LED芯片制作的LED晶圆上通过涂覆感光胶、曝光、显影工艺，显影出LED芯片的P电极和P电极电路区域；

②在步骤①得到的产品表面镀膜第一金属层，并去除显影区域以外部分的第一金属层；

③去除步骤②得到的产品上的感光胶；

④在步骤③得到的产品表面通过涂覆感光胶、曝光、显影工艺，显影出LED芯片的N电极和N电极电路区域；

⑤在步骤④得到的产品表面镀膜第二金属层，并去除显影区域以外部分的第二金属层；即完成LED芯片测试驱动电路的制作。

进一步地，所述步骤①中，先在完成LED芯片制作的LED晶圆上涂覆感光胶，使用光罩将LED芯片P电极对应区域曝光，然后显影露出LED芯片P电极；再次涂覆感光胶，使用光罩将LED芯片P电极对应区域和P电极电路区域曝光，然后显影露出LED芯片P电极和P电极电路区域。