[发明专利]高压发生器及X射线设备

说明书

本申请提供了一种高压发生器及X射线设备。所述高压发生器包括：二极管阵列、屏蔽器件以及栅控电源。所述屏蔽器件与所述二极管阵列间隔设置。所述屏蔽器件在第一方向的投影至少部分覆盖所述二极管阵列。所述栅控电源与所述屏蔽器件间隔设置。所述栅控电源与所述二极管阵列电连接。所述屏蔽器件设置于所述二极管阵列和所述栅控电源之间。本申请可通过所述屏蔽器件减小所述二极管阵列与所述栅控电源之间的寄生电容，同时增加所述二极管阵列对屏蔽器件的寄生电容，从而在打火时可有效保护所述二极管阵列，避免所述二极管阵列因打火时产生的电压突变而损坏。

技术领域

本申请涉及医疗设备技术领域，特别是涉及高压发生器及X射线设备。

背景技术

X射线设备俗称“X光机”，是一种用来产生X射线的设备。X射线设备主要用途是在不破坏物体的情况下来探测内部结构，在当今医学领域X射线设备得到了广泛的应用。而高压发生器是X射线设备中的主要部件之一。高压发生器为X射线球管提供高压，同时为X射线球管提供灯丝加热电压。

高压发生器通常包括逆变箱和高压油箱两个箱体，其中高压油箱主要包括整流单元、打火抑制单元和栅控单元。其中，栅控单元的外部设置有金属外壳，金属外壳的电位是打火抑制单元的阴极高压。栅控单元的金属壳体是一个大的金属平面，对整流单元有较大的寄生电容。当发生阴极打火时，栅控单元的金属外壳的电位会发生突变，电位跳变时间可达ns量级。而整流模块的电位在打火瞬间保持不变。因此打火时，整流模块与栅控单元的金属外壳之间电压会发生突变，这种电压突变会通过寄生电容影响到整流单元，造成整流单元二极管的损坏。

发明内容

基于此，有必要针对现有高压发生器中的整流单元与栅控外壳之间在打火时电压会发生突变，电压突变会通过寄生电容造成整流单元内二极管损坏的问题，提供一种高压发生器及X射线设备。

一种高压发生器，包括：

二极管阵列；

屏蔽器件，与所述二极管阵列间隔设置；以及

栅控电源，与所述屏蔽器件间隔设置，与所述二极管阵列电连接，所述屏蔽器件设置于所述二极管阵列和所述栅控电源之间，且所述屏蔽器件在第一方向的投影至少部分覆盖所述二极管阵列。

在其中一个实施例中，所述屏蔽器件包括：

第一倍压电容，设置于所述二极管阵列和所述栅控电源之间，并与所述二极管阵列电连接，且所述第一倍压电容在所述第一方向的投影至少部分覆盖所述二极管阵列。

在其中一个实施例中，所述屏蔽器件包括：

屏蔽板，设置于所述二极管阵列和所述栅控电源之间，且所述屏蔽板在所述第一方向的投影至少部分覆盖所述二极管阵列。

在其中一个实施例中，所述屏蔽板为金属板。

在其中一个实施例中，所述屏蔽器件在第一方向的投影至少部分覆盖所述二极管阵列。

在其中一个实施例中，所述的高压发生器还包括：

抑制器件，串联于所述二极管阵列和所述栅控电源之间。

在其中一个实施例中，所述的高压发生器还包括：

整流板，所述二极管阵列设置于所述整流板，所述屏蔽器件设置于所述整流板和所述栅控电源之间。

一种高压发生器，包括：

二极管阵列；以及

栅控电源，与所述二极管阵列间隔设置，并与所述二极管阵列电连接，且所述二极管阵列的延伸方向与所述栅控电源的延伸方向成一夹角α，其中，＜α≤90°；

优选的，45°＜α≤90°；

优选的，α＝90°。