[发明专利]低频OSC电路在审
| 申请号： | 202011039908.5 | 申请日： | 2020-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN112202422A | 公开（公告）日： | 2021-01-08 |
| 发明（设计）人： | 袁志勇 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H03K3/012 | 分类号： | H03K3/012;H03K3/023 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 焦健 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 低频 osc 电路 | ||
1.一种低频OSC电路，其特征在于：所述的电路包含：第一～第三PMOS，第一、第二NMOS，第一、第二电容，第一电阻以及第一、第二比较器，以及一RS触发器；
所述第一～第三PMOS的源极均接电源，所述第一、第二PMOS的栅极短接并与第二PMOS的漏极短接；
所述第一PMOS的漏极与第一NMOS的漏极相连，第一NMOS的源极接地；
所述第二PMOS的漏极与第二NMOS的漏极相连，第二NMOS的源极通过第一电阻接地；
所述第三PMOS的栅极与第二PMOS的漏极相连；
第一、第二NMOS的栅极短接，并与第一NMOS的漏极短接；
第一开关的第一端，以及第二开关的第一端，均与所述第三PMOS的漏极相连；
第一开关的第二端连接第一电容的第一端，第一电容的另一端接地；
第二开关的第二端连接第二电容的第一端，第二电容的另一端接地；
第三开关跨接于第一电容的两端，当第三开关闭合时，第一电容被短路；
第四开关跨接于第二电容的两端，当第四开关闭合时，第二电容被短路；
所述第一比较器的正向输入端与第一开关的第二端相连，所述第一比较器的反向输入端与第二NMOS的源极相连，输入比较电压；
所述第二比较器的正向输入端与第二开关的第二端相连，所述第二比较器的反向输入端与第一比较器的反向输入端相连；
所述第一比较器的输出端与RS触发器的S端相连，所述第二比较器的输出端与RS触发器的R端相连。
2.如权利要求1所述的低频OSC电路，其特征在于：所述所有PMOS管的衬底电极接电源，所有NMOS管的衬底电极接地。
3.如权利要求1所述的低频OSC电路，其特征在于：所述的第一比较器的反向输入端接参考电压，所述参考电压为第一电阻的电压，即第一及第二NMOS管的Vgs电压差。
4.如权利要求1所述的低频OSC电路，其特征在于：所述的RS触发器的Q输出端控制第一及第四开关，RS触发器的端控制第二及第三开关。
5.如权利要求1所述的低频OSC电路，其特征在于：所述的第一电阻为兆欧级电阻。
6.如权利要求5所述的低频OSC电路，其特征在于：所述的第一电阻的典型值为1Mohm。
7.如权利要求3所述的低频OSC电路，其特征在于：所述的参考电压为0.6V。
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