[发明专利]一种高灵敏度绝对温度测量电路在审
申请号: | 202011039246.1 | 申请日: | 2020-09-28 |
公开(公告)号: | CN112033557A | 公开(公告)日: | 2020-12-04 |
发明(设计)人: | 王凯;许忆彤 | 申请(专利权)人: | 中山大学 |
主分类号: | G01K7/00 | 分类号: | G01K7/00 |
代理公司: | 广州新诺专利商标事务所有限公司 44100 | 代理人: | 林玉芳;辜丹芸 |
地址: | 510275 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 灵敏度 绝对温度 测量 电路 | ||
1.一种高灵敏度绝对温度测量电路,其特征在于,包括:
两个薄膜晶体管,任一薄膜晶体管的漏极和栅极短接;
电源,对两个薄膜晶体管进行偏置;
外接差分放大器,其两个输入端分别与两个薄膜晶体管的栅源电压连接,对两个薄膜晶体管的栅源电压进行差分放大处理。
2.根据权利要求1所述的高灵敏度绝对温度测量电路,其特征在于,所述两个薄膜晶体管均为单栅薄膜晶体管,有源层材料为非晶硅、多晶硅、有机半导体或氧化物半导体中的任一种。
3.根据权利要求2所述的高灵敏度绝对温度测量电路,其特征在于,所述电源为恒压源,其通过两个支路的负载电阻分别与两个单栅薄膜晶体管的漏极连接;所述两个单栅薄膜晶体管的源极与恒压源负极连接或接地。
4.根据权利要求2所述的高灵敏度绝对温度测量电路,其特征在于,所述电源为两个电流大小不同的恒流源,它们分别直接与两个单栅薄膜晶体管的漏极连接;所述两个单栅薄膜晶体管的源极分别与恒流源负极连接或接地。
5.根据权利要求1所述的高灵敏度绝对温度测量电路,其特征在于,所述两个薄膜晶体管均为双栅薄膜晶体管,有源层材料为非晶硅、多晶硅、有机半导体或氧化物半导体中的任一种。
6.根据权利要求5所述的高灵敏度绝对温度测量电路,其特征在于,所述电源为恒压源,其通过两个支路的负载电阻分别与两个双栅薄膜晶体管的漏极连接;所述两个双栅薄膜晶体管的源极与恒压源负极连接或接地,顶栅极分别接外置偏压电路。
7.根据权利要求5所述的高灵敏度绝对温度测量电路,其特征在于,所述电源为两个电流大小不同的恒流源,它们分别直接与两个双栅薄膜晶体管的漏极连接;所述两个双栅薄膜晶体管的源极分别与恒流源负极连接或接地,顶栅极分别接外置偏压电路。
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