[发明专利]一种防水抗菌膜层的镀膜工艺

权利要求书

1.一种防水抗菌膜层的镀膜工艺，其特征在于，采用真空镀膜工艺，包括镀膜工件、至少一个基础层、抗菌A层和抗菌B层，

其镀膜工艺包括如下步骤：

1）首先将镀膜工件一一放入真空镀膜机的真空腔内，关闭真空腔门；

2）对镀膜工件表面进行1-300分钟的离子轰击，对镀膜工件表面进行清洁活化；

3）对真空腔进行抽取真空，并调节内部温度；

4）镀膜工件表面清洁完成，并且达到真空标准和温度标准后，通过真空腔内的电子枪将基础层的原料蒸发至镀膜工件的表面形成基础层；

5）然后将抗菌A层的原料通过蒸发汽化方式，将抗菌A层的原料蒸发至基础层的表面，形成抗菌A层；

6）若设置一个基础层，则将抗菌B层的原料通过蒸发汽化方式，将抗菌B层的原料蒸发至抗菌A层的表面；

7）若设置两个基础层，则在抗菌A层的表面通过蒸发方式再添加一层基础层，然后在上层的基础层表面，将抗菌B层的原料蒸发至上层的基础层表面。

2.根据权利要求1所述的一种防水抗菌膜层的镀膜工艺，其特征在于，所述真空腔内部温度为-20-200℃。

3.根据权利要求1所述的一种防水抗菌膜层的镀膜工艺，其特征在于，所述基础层的原料为硅或硅的氧化物中任意一种。

4.根据权利要求1所述的一种防水抗菌膜层的镀膜工艺，其特征在于，所述抗菌A层原料为香草醛、乙基香草醛类化合物，或其他有机抗菌剂中任意一种。

5.根据权利要求1所述的一种防水抗菌膜层的镀膜工艺，其特征在于，所述抗菌B层的原料为矽氧烷改性的全氟聚醚化合物。

6.根据权利要求1所述的一种防水抗菌膜层的镀膜工艺，其特征在于，所述基础层的厚度范围为1-300纳米。

7.根据权利要求1所述的一种防水抗菌膜层的镀膜工艺，其特征在于，所述抗菌A层的厚度范围为1-300纳米。

8.根据权利要求1所述的一种防水抗菌膜层的镀膜工艺，其特征在于，所述抗菌B层的厚度范围为1-300纳米。