[发明专利]一种系统级封装结构及其制造方法

权利要求书

1.一种系统级封装结构，其特征在于，包括：有机多层电路板、金属围框、BGA焊球、预成型焊片一、预成型焊片二和带有凸台的金属盖板；所述金属围框包括最外圈的围框结构体和分布在围框结构体内的隔筋；所述金属围框的围框结构体和隔筋上方与带有凸台的金属盖板相匹配；

所述BGA焊球植于有机多层电路板背面；

所述金属围框的围框结构体和隔筋下方使用预成型焊片一焊接于有机多层电路板正面；

所述金属围框的隔筋上方与所述金属盖板的凸台使用预成型焊片二焊接，所述金属盖板的四周与金属围框的围框结构体上方气密焊接，使得金属盖板和有机多层电路板之间，通过金属围框的围框结构体和隔筋分割成若干个腔体；各个所述腔体中的所述有机多层电路板正面用于安装裸管芯或封装器件。

2.根据权利要求1所述的系统级封装结构，其特征在于，所述有机多层电路板为气密有机材料制造的气密有机多层电路板，或者非气密的多层电路板。

3.根据权利要求1所述的系统级封装结构，其特征在于，所述金属围框和金属盖板采用304不锈钢、321不锈钢、10号钢、316L不锈钢或可伐合金制备而成。

4.根据权利要求1或3所述的系统级封装结构，其特征在于，所述金属围框和金属盖板的表面镀有镍金镀层。

5.根据权利要求1所述的系统级封装结构，其特征在于，所述BGA焊球为SAC305焊球或Sn₆₃Pb₃₇焊球。

6.根据权利要求1所述的系统级封装结构，其特征在于，所述预成型焊片一采用熔点介于220-250℃之间的焊料制备而成，包括且不限于：Pb₇₅In₂₅、Sn₉₀Sb₁₀、Sn₉₅Sb₅、Sn_99.3Cu_0.7和Sn_96.5Ag_3.5焊料。

7.根据权利要求1所述的系统级封装结构，其特征在于，所述预成型焊片二采用Sn₆₃Pb₃₇、Sn₄₂Bi₅₈或纯In片制备而成。

8.一种系统级封装结构的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1，清洗金属盖板、金属围框和有机多层电路板；

S2，金属围框的围框结构体和隔筋下方使用预成型焊片一焊接于有机多层电路板正面；

S3，清洗并完全去除助焊剂后检漏；

S4，BGA焊球植于有机多层电路板背面；

S5，在有机多层电路板正面被金属围框的围框结构体和隔筋分割成的若干个封装区域中，安装裸管芯或封装器件；

S6，对安装的裸管芯或封装器件进行电学性能调测；

S7，金属围框的隔筋上方与所述金属盖板的凸台使用预成型焊片二焊接；

S8，金属盖板的四周与金属围框的围框结构体上方气密焊接，使得所述封装区域经金属盖板封焊后形成腔体。

9.根据权利要求8所述的系统级封装结构的制造方法，其特征在于，步骤S5中，安装裸管芯的方法为：所述裸管芯通过导电胶粘贴于有机多层电路板正面，并采用金丝键合的方式与有机多层电路板之间实现电气互连。

10.根据权利要求8所述的系统级封装结构的制造方法，其特征在于，步骤S5中，安装封装器件的方法为：所述封装器件采用SMT的方式安装在有机多层电路板正面，并通过SMT焊点与有机多层电路板之间实现电气互连。