[发明专利]红外探测器件及其制备方法

权利要求书

1.一种红外探测器件，其特征在于，所述红外探测器件包括衬底以及依次层叠设置于所述衬底上的绝缘层、微结构层，所述微结构层包括呈阵列设置的多个微结构，所述红外探测器件还包括设置于所述微结构层表面的吸收层，所述吸收层的材质为Ge₂Sb₂Te₅相变材料，所述微结构层的材质为金属，所述微结构层的局域表面等离激元的共振波长为0.75～300μm；

其中，所述吸收层覆盖于所述多个微结构的顶面和侧面。

2.根据权利要求1所述的红外探测器件，其特征在于，所述微结构层的材质为金。

3.根据权利要求1所述的红外探测器件，其特征在于，所述微结构为长方体结构。

4.根据权利要求3所述的红外探测器件，其特征在于，所述微结构与所述绝缘层贴合的一面的形状为正方形，所述正方形的边长为1～5μm，和/或，所述微结构层的厚度为100～200nm，和/或，相邻两个微结构之间的间距为2～3μm。

5.根据权利要求1所述的红外探测器件，其特征在于，所述吸收层的厚度为100～400nm，和/或，所述吸收层的晶态为非晶态。

6.根据权利要求1所述的红外探测器件，其特征在于，所述红外探测器件还包括设于所述吸收层上的电极。

7.根据权利要求1所述的红外探测器件，其特征在于，所述绝缘层的材质为聚甲基丙烯酸甲酯。

8.根据权利要求7所述的红外探测器件，其特征在于，所述绝缘层的厚度为100～500nm。

9.一种如权利要求1～8任一项所述的红外探测器件的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

提供一衬底；

在所述衬底上形成绝缘层；

通过光刻工艺在所述绝缘层上形成微结构层；

在所述微结构层上形成吸收层；

在所述吸收层上形成电极。