[发明专利]图像传感器在审
申请号: | 202011034938.7 | 申请日: | 2020-09-27 |
公开(公告)号: | CN112786631A | 公开(公告)日: | 2021-05-11 |
发明(设计)人: | 沈殷燮;李景镐;崔性洙 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人: | 李娜;王凯霞 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 图像传感器 | ||
1.一种图像传感器,包括:
像素阵列,所述像素阵列包括多个第一像素和多个第二像素,
其中,所述多个第一像素和所述多个第二像素中的每个像素包括:微透镜、在第一方向和垂直于所述第一方向的第二方向中的至少一个方向上彼此间隔开的多个光电二极管、以及多个转移晶体管,并且
其中,所述多个转移晶体管中的每个转移晶体管连接到所述多个光电二极管中的相应的光电二极管;
采样电路,所述采样电路被配置为从所述多个第一像素和所述多个第二像素检测复位电压和像素电压,并输出所述复位电压与所述像素电压之差作为模拟信号;
模数转换器,所述模数转换器被配置为将所述模拟信号与斜坡电压进行比较,以将所述比较的结果转换成数字信号,并将所述数字信号输出为图像数据;以及
信号处理电路,所述信号处理电路被配置为使用所述图像数据产生图像,
其中,所述多个第一像素中的每个像素包括第一导电类型的阱,所述第一导电类型的阱将所述多个光电二极管分隔开并且具有第一导电类型的杂质,
其中,所述多个光电二极管具有与所述第一导电类型不同的第二导电类型的杂质,
其中,所述多个第二像素中的每个像素包括第二导电类型的阱,所述第二导电类型的阱将所述多个光电二极管分隔开并且具有与所述第一导电类型不同的所述第二导电类型的杂质,并且
其中,所述第二导电类型的阱的电势高于所述第一导电类型的阱的电势。
2.根据权利要求1所述的图像传感器,
其中,所述图像传感器被配置为在低照度环境中使用所述多个第一像素和所述多个第二像素中的每个像素执行自动聚焦功能。
3.根据权利要求2所述的图像传感器,
其中,所述图像传感器还被配置为在所述低照度环境中使用所述多个第一像素和所述多个第二像素中的每个像素来产生图像。
4.根据权利要求1所述的图像传感器,
其中,所述图像传感器被配置为在高照度环境中使用所述多个第二像素中的每个像素来产生图像,并使用所述多个第一像素中的每个像素来执行自动聚焦功能。
5.根据权利要求4所述的图像传感器,
其中,所述图像传感器还被配置为在所述高照度环境中执行坏像素校正操作以使用所述多个第一像素中的每个像素来产生图像。
6.根据权利要求1所述的图像传感器,
其中,所述多个第二像素中的每个像素的满阱容量大于所述多个第一像素中的每个像素的满阱容量。
7.根据权利要求1所述的图像传感器,
其中,所述第一像素的数量与所述第二像素的数量之比为1:3或更小。
8.根据权利要求1所述的图像传感器,
其中,当所述多个转移晶体管中的第一转移晶体管处于关断状态时,设置在所述第一转移晶体管的栅电极下方的沟道区的电势低于所述第二导电类型的阱的电势。
9.根据权利要求1所述的图像传感器,
其中,所述第二导电类型的阱的电势根据所述第二导电类型的阱中的所述第二导电类型的杂质的掺杂浓度而变化。
10.根据权利要求1所述的图像传感器,
其中,当所述多个光电二极管在所述第一方向上彼此间隔开时,所述第二导电类型的阱的电势根据所述第二导电类型的阱沿所述第二方向的宽度而变化。
11.根据权利要求1所述的图像传感器,
其中,所述多个光电二极管响应于光而产生电子作为主要的载流子,并且所述第一导电类型的阱的所述电势越低,所述电子的能量越高。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的