[发明专利]一种SiC平面MOSFET及其自对准工艺有效
| 申请号： | 202011034231.6 | 申请日： | 2020-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN112086360B | 公开（公告）日： | 2022-04-05 |
| 发明（设计）人： | 夏华忠;黄传伟;诸建周;吕文生;谈益民 | 申请（专利权）人： | 江苏东海半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/16 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 214142 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 sic 平面 mosfet 及其 对准 工艺 | ||
【权利要求书】：
1.一种SiC平面MOSFET自对准工艺，其特征在于：包含以下步骤：
S1：选用SiC晶圆衬底，并在晶圆衬底的外延上淀积生长SiO2层；
S2：通过刻蚀工艺，在所述SiO2层刻蚀出注入窗口，并进行N+源区的离子注入工艺；
S3：采用湿法腐蚀工艺，将SiO2层垂直的侧壁腐蚀出倾斜的角度，以此作为P-well的注入窗口，通过注入在所述晶圆衬底的外延层表面形成P-well区；
S4：通过湿法腐蚀工艺去除第一次沉积的SiO2层；
S5：再次淀积SiO2层，以形成场氧化物，并在第二次淀积的SiO2层上刻蚀出P+的注入窗口，通过铝离子注入形成P+区；
S6：通过高温退火激活掺杂后，依次进行生长栅氧化层、沉积多晶硅；
S7：光刻、刻蚀后进行介质层的沉积，并在光刻后刻蚀出接触孔，溅射正面金属后进行光刻和刻蚀；
S8：制作背面金属。
2.根据权利要求1所述的一种SiC平面MOSFET自对准工艺，其特征在于：所述场氧化物通过氧化工艺或沉积工艺实现的。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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