[发明专利]一种GaAs基晶圆斜切角度的快速表征方法

权利要求书

1.一种GaAs基晶圆斜切角度的快速表征方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、对GaAs基晶圆沿自然解理面进行分割；

S2、沿平行于GaAs基晶圆的衬底表面，并与自然解理面法线一侧呈45°方向，观察并测量解理边与GaAs基晶圆上下表面的夹角，记为θ1；

S3、若θ1≠90°，则GaAs基晶圆的斜切角为|90°-θ1|；

S4、若θ1＝90°，则沿平行于GaAs基晶圆衬底表面、与自然解理面法线另一测呈45°方向，观察并测量解理边与晶圆衬底上、下表面的夹角，记为θ2，则GaAs基晶圆的斜切角为|90°-θ2|。

2.根据权利要求1所述的一种GaAs基晶圆斜切角度的快速表征方法，其特征在于：所述GaAs基晶圆衬底为(100)取向，斜切方向为110的GaAs单晶衬底。

3.根据权利要求2所述的一种GaAs基晶圆斜切角度的快速表征方法，其特征在于：所述GaAs基晶圆为裸衬底。

4.根据权利要求2所述的一种GaAs基晶圆斜切角度的快速表征方法，其特征在于：所述GaAs基晶圆为经同质、异质外延的GaAs基晶圆。

5.根据权利要求2所述的一种GaAs基晶圆斜切角度的快速表征方法，其特征在于：所述GaAs基晶圆为经金属、介电薄膜沉积后的GaAs基器件晶圆。

6.根据权利要求3-5任一权利要求所述的一种GaAs基晶圆斜切角度的快速表征方法，其特征在于：所述S2和S4中，观察解理边与GaAs基晶圆衬底上、下表面夹角的表征手段包括钨丝灯扫描电镜、场发射扫描电镜、高分辨透射电镜。