[发明专利]光学相干纵向分层扫描硅太阳电池的质量检测方法及装置

权利要求书

1.一种光学相干纵向分层扫描硅太阳电池的质量检测方法，其特征是，所述硅太阳电池（11）的质量检测方法包括如下步骤：

步骤1、获取待检测的硅太阳电池（11），将所述硅太阳电池（11）置于传送带（13）上后，通过传送带（13）能将硅太阳电池（11）输送至检测位置；

步骤2、提供能发射近红外光的检测光源（22），所述检测光源（22）所发出的光线经光纤耦合器（18）后能分别形成参考光路与采样光路，其中，采样光路的光线能入射到检测位置的硅太阳电池（11）上；

步骤3、硅太阳电池（11）反射的光线经采样光路能进入光纤耦合器（18）内，且在光纤耦合器（18）内能与参考光路返回的光线产生光学干涉，通过与所述光纤耦合器（18）连接的光电探测器（21）能采集所述光纤耦合器（18）输出的能反映后向散射强度的光学干涉信号；

步骤4、光电探测器（21）将所采集的光学干涉信号处理后得到检测扫描信号，并将所述检测扫描信号传输至图像处理器（20）内，图像处理器（20）根据检测扫描信号能建立检测位置上硅太阳电池（11）的三维结构信息；

步骤5、图像处理器（20）将所建立的三维结构信息传输至主处理器（19）内，主处理器（19）根据硅太阳电池（11）的三维结构信息判断所述硅太阳电池（11）的质量状态。

2.根据权利要求1所述的光学相干纵向分层扫描硅太阳电池的质量检测方法，其特征是：还包括检测壳体（1），传送带（13）位于检测壳体（1）内的下部，在所述检测壳体（1）内设有相互独立的光源腔（25）、参考处理腔（26）、判断处理腔（27）以及检测处理腔（28）；

检测光源（22）位于光源腔（25）内，光电探测器（21）、图像处理器（20）以及主处理器（19）均位于判断处理腔（27）内，在参考处理腔（26）内设置参考光处理机构，光纤耦合器（18）位于检测处理腔（28）内，检测位置与检测处理腔（28）正对应，在检测处理腔（28）内能将采样光路入射到硅太阳电池（11）上的采样光路处理机构，且硅太阳电池（11）吸收后反射的光线能经采样光路处理机构返回光纤耦合器（18）内。

3.根据权利要求2所述的光学相干纵向分层扫描硅太阳电池的质量检测方法，其特征是：所述检测光源（22）采用低相干性超辐射发光二极管，检测光源（22）所发射光线的波长为1000nm~1300nm；

还包括与检测光源（22）适配连接的光线汇聚体（23），所述光线汇聚体（23）通过发射光线光纤（24）与光纤耦合器（18）适配连接。

4.根据权利要求2或3所述的光学相干纵向分层扫描硅太阳电池的质量检测方法，其特征是：所述参考光处理机构包括高反射平面镜（2）以及位于所述高反射平面镜（2）前方的参考光均匀准直镜体（3），光纤耦合器（18）上连接有允许参考光传输的参考光传输光纤（17），参考光传输光纤（17）的一端与光纤耦合器（18）连接，参考光传输光纤（17）另一端设置的光纤第一接头（30）位于参考光均匀准直镜体（3）。

5.根据权利要求2或3所述的光学相干纵向分层扫描硅太阳电池的质量检测方法，其特征是：所述采样光路处理机构包括检测内壳体以及设置于所述检测内壳体上的采样光准直壳体（29）、位于所述检测内壳体内的扫描反射镜（8）、用于控制所述扫描反射镜（8）位置状态的反射镜控制机构以及与所述检测内壳体适配连接的检测前置光学体（10），检测位置位于所述检测前置光学体（10）的正下方；反射镜控制机构对扫描反射镜（8）的位置状态控制包括扫描反射镜（8）的位置水平运动以及扫描反射镜（8）的旋转；

采样光准直壳体（29）与采样光传输光纤（16）的一端适配连接，采样光传输光纤（16）的另一端与光纤耦合器（18）连接，在采样光准直壳体（29）内设置至少一个采样光准直仪（15），经采样光准直仪（15）准直后的采样光通过扫描反射镜（8）反射并经过检测前置光学体（10）准直汇聚后入射到检测位置的硅太阳电池（11）上；

经硅太阳电池（11）反射后的光线经扫描反射镜（8）、采样光准直壳体（29）、采样光传输光纤（16）能返回光纤耦合器（18）内。