[发明专利]一种耐酸碱型减粘胶带的制作方法在审

专利信息
申请号: 202011031805.4 申请日: 2020-09-27
公开(公告)号: CN111978885A 公开(公告)日: 2020-11-24
发明(设计)人: 王小莉;梁明月;张欢;朱传杰 申请(专利权)人: 南京汇鑫光电材料有限公司
主分类号: C09J7/38 分类号: C09J7/38;C09J7/40;C09J4/02;C09J4/06
代理公司: 南京正联知识产权代理有限公司 32243 代理人: 张玉红
地址: 210000 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 耐酸 碱型减 粘胶 制作方法
【说明书】:

发明提供一种耐酸碱型减粘胶带的制作方法,将耐酸的UV减粘组合物涂布在第一离型膜上,将涂布有耐酸的UV减粘组合物的第一离型膜放入烘箱烘干,在烘干后的胶体上覆上第二离型膜,其特征在于,所述耐酸的UV减粘组合物按照以下步骤进行:一、准备聚合单体;二、预制反应体系,将聚丙烯酸酯压敏胶粘剂、聚合单体、固化剂和溶剂按比例混合搅拌均匀,同时用分散机持续搅拌;三、添加光引发剂,遮光环境下在反应体系中加入光引发剂,此过程中分散机持续搅拌;四、后处理,引发剂添加完成后将分散机的转速调到400‑600rpm/min转速,并持续搅拌15‑60min,最后静置30min以上自然消泡,得到耐酸的UV减粘组合物。按照此方法制作的减粘胶带具有较好的耐酸碱性能。

技术领域

本发明涉及减粘胶带的制作方法,尤其涉及一种耐酸碱型减粘胶带的制作方法。

背景技术

半导体是家用数码产品及电子器件的关键部件。在大规模集成电路的制造和半导体器件的制造加工过程中,必不可少的基础材料是半导体芯片。在电子产品制作过程中,如贴片电子元器件片式电感制程中的定位切割,半导体晶片表面加工,电子及光电产业部件制作加工工程,晶片研磨、切割、各种硅片、封装基板、陶瓷、玻璃、水晶精细电子零件的承载加工和各种材质的微小零件的加工切割,加工完毕后,再把加工好的晶圆切片从固定胶膜上完全剥离下来,不影响晶圆材料本身,减粘膜就是其中一种辅材。

目前市场上的减粘保护膜多为UV减粘保护膜,是指在UV照射前具有高度粘合力,贴附性好,在UV照射后粘合力明显下降,易于剥离。但在电子工业生产过程中,有部分包含酸碱的制程,如触控面板制程中,玻璃之间需要经过碱液喷淋或浸泡、晶圆的化学镀UBM工艺,这些生产过程中都需要经历严苛的酸碱环境,而目前的UV减粘保护膜对这些酸碱环境足够的耐受性。

发明内容

针对上述背景技术中提到的问题,本发明涉及一种耐酸碱型减粘胶带的制作方法,将耐酸的UV减粘组合物涂布在第一离型膜上,将涂布有耐酸的UV减粘组合物的第一离型膜放入烘箱烘干,在烘干后的胶体上覆上第二离型膜,其特征在于,所述耐酸的UV减粘组合物按照以下步骤进行:

一、准备聚合单体,将5份丙烯酸、20份丙烯酸甲酯、60份丙烯酸异辛酯、10份丙烯酸丁酯、2.5份丙烯酸羟乙酯、2.5份丙烯酸羟丁酯按照比例混合均匀;

二、预制反应体系,将聚丙烯酸酯压敏胶粘剂、聚合单体、固化剂和溶剂按比例混合搅拌均匀,同时用分散机持续搅拌;

三、添加光引发剂,遮光环境下在反应体系中加入光引发剂,此过程中分散机持续搅拌;四、后处理,引发剂添加完成后将分散机的转速调到400-600rpm/min转速,并持续搅拌15-60min,最后静置30min以上自然消泡,得到耐酸的UV减粘组合物。

进一步的,所述丙烯酸压敏胶粘剂主要由丙烯酸,丙烯酸甲酯,丙烯酸羟乙酯,丙烯酸羟丁酯,丙烯酸异辛酯,偶氮二异丁氰通过溶剂聚合的方式进行聚合生产。

进一步的,所述第一离型膜与所述第二离型膜都采用PET材料制成膜状基材。

进一步的,所述光引发剂为自由基光引发剂。

进一步的,所述烘箱为一种热风烘箱,所述涂布有耐酸的UV减粘组合物的第一离型膜耐酸的UV减粘组合物朝上经过所述烘箱时,烘箱对第一离型膜的下表面以及有耐酸的UV减粘组合物同时吹送干燥的热风进行烘干,在加快烘干速度的同时保证耐酸的UV减粘组合物与第一离型膜同时涨缩,防止耐酸的UV减粘组合物在第一离型膜的表面发生位移。

进一步的,所述耐酸的UV减粘组合物在遮光环境下涂在第一离型膜,所述涂布有耐酸的UV减粘组合物的第一离型膜在烘箱内进行烘干时保持遮光状态,所述涂布有耐酸的UV减粘组合物的第一离型膜烘干后在遮光环境下覆上第二层离型膜。

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