[发明专利]一种光电探测器以及制备方法

权利要求书

1.一种光电探测器，其特征在于，包括：

衬底；

光响应器件，位于所述衬底的表面，其中，所述光响应器件设置有第一电极、第二电极和光信号接收窗口；

钝化层，包括至少一层钝化子层，覆盖所述光响应器件的侧面以及所述光响应器件远离所述衬底一侧的表面，其中，所述钝化层设置有开口结构，所述开口结构暴露所述光信号接收窗口，所述钝化层用于保护所述光响应器件；

增透膜，覆盖所述开口结构的底面和侧面，且延伸至所述钝化层远离所述光响应器件一侧的表面；

所述光响应器件的侧面和所述衬底所在平面呈90°夹角；

还包括平坦化层，所述平坦化层位于所述钝化层和所述增透膜之间，所述平坦化层与所述钝化层远离所述衬底一侧的表面平齐。

2.根据权利要求1所述的光电探测器，其特征在于，所述光响应器件包括：距离所述衬底的表面由近及远依次排列的第一导电类型半导体层、本征半导体吸收层、第二导电类型半导体层以及欧姆接触层；

所述第一导电类型半导体层包括第一连接区和第一非连接区，所述第一电极位于所述第一连接区；所述本征半导体吸收层位于所述第一非连接区；所述第二导电类型半导体层位于所述本征半导体吸收层远离所述第一导电类型半导体层一侧的表面，所述第二导电类型半导体层包括第二连接区和第二非连接区，其中所述第二连接区包围所述第二非连接区，所述欧姆接触层位于所述第二连接区，所述第二电极设置在所述欧姆接触层远离所述第二导电类型半导体层一侧的表面。

3.根据权利要求1所述的光电探测器，其特征在于，所述钝化层包括距离所述衬底的表面由近及远依次排列的第一钝化子层和第二钝化子层；

所述第一钝化子层，覆盖所述光响应器件的表面，露出所述光信号接收窗口；所述第二钝化子层覆盖所述第一钝化子层远离所述光响应器件一侧的表面以及所述光响应器件的侧面，并且延伸至所述衬底的表面。

4.根据权利要求1所述的光电探测器，其特征在于，还包括第一电极连接层和第二电极连接层，所述第一电极连接层通过穿过所述钝化层和所述增透膜的第一导电通孔与所述第一电极电连接，所述第二电极连接层通过穿过所述钝化层和所述增透膜的第二导电通孔与所述第二电极电连接。

5.一种光电探测器的制备方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

在所述衬底表面形成光响应器件，其中，所述光响应器件设置有第一电极、第二电极和光信号接收窗口，所述光响应器件的侧面和所述衬底所在平面呈90°夹角；

在所述光响应器件远离所述衬底一侧的表面和侧面形成钝化层，其中，所述钝化层包括至少一层钝化子层，覆盖所述光响应器件的侧面以及所述光响应器件远离所述衬底一侧的表面，其中，所述钝化层设置有开口结构，所述开口结构暴露所述光信号接收窗口，所述钝化层用于保护所述光响应器件；

形成平坦化层，所述平坦化层与所述钝化层远离所述衬底一侧的表面平齐；

在所述开口结构的底面和侧面，以及所述钝化层远离所述光响应器件一侧的表面形成增透膜。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，在所述衬底表面形成光响应器件包括：

在距离所述衬底的表面由近及远的方向上形成依次排列的第一导电类型半导体层、本征半导体吸收层、第二导电类型半导体层以及欧姆接触层；其中，所述第一导电类型半导体层包括第一连接区和第一非连接区，所述第一电极位于所述第一连接区；所述本征半导体吸收层位于所述第一非连接区；所述第二导电类型半导体层位于所述本征半导体吸收层远离所述第一导电类型半导体层一侧的表面，所述第二导电类型半导体层包括第二连接区和第二非连接区，所述欧姆接触层位于所述第二连接区，所述第二电极设置在所述欧姆接触层远离所述第二导电类型半导体层一侧的表面。