[发明专利]一种半导体器件的制造方法在审
| 申请号： | 202011026707.1 | 申请日： | 2020-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN112151443A | 公开（公告）日： | 2020-12-29 |
| 发明（设计）人： | 张大明;邵克坚;刘昭;肖为引;王锐 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 柳虹 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：
提供衬底；所述衬底上形成有待刻蚀膜层；
对所述待刻蚀膜层进行刻蚀以得到上部过孔，并在所述上部过孔的侧壁形成侧墙；
以所述侧墙为掩蔽对所述上部过孔的底部进行刻蚀，以形成底部过孔；
去除所述侧墙。
2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述待刻蚀膜层至少包括氧化硅层，所述上部过孔的刻蚀停止在氧化硅层中。
3.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述待刻蚀膜层还包括氧化硅层下的氮化硅层。
4.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述衬底和所述待刻蚀膜层之间还形成有金属互连层。
5.根据权利要求4所述的制造方法，其特征在于，形成所述底部过孔时，以所述金属互连层为刻蚀停止层。
6.根据权利要求1-5任意一项所述的制造方法，其特征在于，所述在所述上部过孔的侧壁形成侧墙，包括：
沉积侧墙材料；
利用各向异性刻蚀方式对所述侧墙材料进行处理，去除所述待刻蚀膜层上表面以及所述上部过孔底部的侧墙材料，以形成所述侧墙。
7.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述侧墙材料的沉积方式为原子层沉积。
8.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述侧墙材料为多晶硅。
9.根据权利要求1-5任意一项所述的制造方法，其特征在于，对所述待刻蚀膜层进行刻蚀以得到上部过孔，包括：
在所述待刻蚀膜层上形成曝光图案化膜层并进行光刻工艺，以在所述曝光图案化膜层中刻蚀孔图形；
以所述曝光图案化膜层为掩蔽，进行所述待刻蚀膜层的刻蚀，以形成上部过孔。
10.根据权利要求1-5任意一项所述的制造方法，其特征在于，还包括：
在所述上部过孔和底部过孔中填充导电材料，以形成接触垫。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
