[发明专利]一种钙钛矿两端叠层太阳能电池及其制备方法在审
申请号: | 202011026697.1 | 申请日: | 2020-09-25 |
公开(公告)号: | CN112289933A | 公开(公告)日: | 2021-01-29 |
发明(设计)人: | 李述体;项翎;高芳亮;李东阳;刘泓良 | 申请(专利权)人: | 华南师范大学 |
主分类号: | H01L51/42 | 分类号: | H01L51/42;H01L51/46;H01L51/48 |
代理公司: | 广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙) 44288 | 代理人: | 杨艳 |
地址: | 510000 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 钙钛矿 两端 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
1.一种钙钛矿两端叠层太阳能电池,其特征在于,包括依次叠层设置的底电池及顶电池,所述底电池与所述顶电池通过隧穿复合层连接;所述底电池为宽带隙钙钛矿太阳能电池,所述宽带隙钙钛矿太阳能电池包括从下到上依次设置的透明导电衬底、空穴传输层、宽带隙钙钛矿层及第一电子传输层,所述宽带隙钙钛矿层为MAGeI3层,所述第一电子传输层与所述隧穿复合层的底面连接;所述顶电池为窄带隙钙钛矿太阳能电池,所述窄带隙钙钛矿太阳能电池包括从下到上依次设置的与所述隧穿复合层的顶面连接的窄带隙钙钛矿层、第二电子传输层及背电极,所述窄带隙钙钛矿层为FA0.75Cs0.25Sn0.4Pb0.6I3层。
2.根据权利要求1所述的钙钛矿两端叠层太阳能电池,其特征在于,所述宽带隙钙钛矿层的厚度为300nm-350nm;所述窄带隙钙钛矿层的厚度为600nm-700nm。
3.根据权利要求1所述的钙钛矿两端叠层太阳能电池,其特征在于,所述隧穿复合层为厚度7nm-9nm的氧化铟锡层。
4.根据权利要求1所述的钙钛矿两端叠层太阳能电池,其特征在于,所述透明导电衬底为厚度50nm-60nm为氧化铟锡层。
5.根据权利要求1所述的钙钛矿两端叠层太阳能电池,其特征在于,所述空穴传输层为厚度40nm-50nm的碘化亚铜层。
6.根据权利要求1所述的钙钛矿两端叠层太阳能电池,其特征在于,所述第一电子传输层为厚度30nm-40nm的富勒烯层。
7.根据权利要求1所述的钙钛矿两端叠层太阳能电池,其特征在于,所述第二电子传输层包括富勒烯层和2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉层,所述富勒烯层与所述窄带隙钙钛矿层连接,所述2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉层与所述背电极连接。
8.根据权利要求7所述的钙钛矿两端叠层太阳能电池,其特征在于,所述富勒烯层的厚度为40nm-50nm,所述2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉层的厚度为6nm-7nm。
9.根据权利要求1所述的钙钛矿两端叠层太阳能电池,其特征在于,所述背电极为厚度90nm-100nm的Ag层。
10.一种钙钛矿两端叠层太阳能电池的制备方法,其特征在于,包括如下制备步骤:
S1:在清洗干净的透明导电衬底上旋涂一层空穴传输层;
S2:在空穴传输层上沉积一层宽带隙钙钛矿层;
S3:在宽带隙钙钛矿层上利用热蒸发工艺蒸镀一层第一电子传输层;
S4:在电子传输层上利用磁控溅射设备溅射一层隧穿复合层;
S5:在隧穿复合层上沉积一层窄带隙钙钛矿层;
S6:在窄带隙钙钛矿层上利用热蒸发工艺蒸镀一层第二电子传输层;
S7:在第二电子传输层上利用热蒸发工艺蒸镀一层背电极。
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