[发明专利]一种平面端射圆极化天线在审

专利信息
申请号: 202011026558.9 申请日: 2020-09-25
公开(公告)号: CN112151958A 公开(公告)日: 2020-12-29
发明(设计)人: 鲁国林;罗超鸣;刘金利 申请(专利权)人: 重庆两江卫星移动通信有限公司
主分类号: H01Q1/50 分类号: H01Q1/50;H01Q3/28;H01Q3/34;H01Q1/38
代理公司: 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 代理人: 高俊
地址: 401120 重庆*** 国省代码: 重庆;50
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摘要:
搜索关键词: 一种 平面 端射圆 极化 天线
【权利要求书】:

1.一种平面端射圆极化天线,其特征在于,包括端射水平极化层(1)、端射垂直极化层(2)以及微带功分器(3);所述微带功分器(3)为端射水平极化层(1)以及端射垂直极化层(2)馈电。

2.根据权利要求1所述的一种平面端射圆极化天线,其特征在于,还包括馈电探针(4),所述馈电探针(4)用于连接微带功分器(3)与端射垂直极化层(2),所述微带功分器(3)通过馈电探针(4)为端射垂直极化层(2)馈电。

3.根据权利要求2所述的一种平面端射圆极化天线,其特征在于,所述微带功分器(4)是1分2的功分器,一端连接端射水平极化层(1),另一端连接馈电探针(4)。

4.根据权利要求3所述的一种平面端射圆极化天线,其特征在于,所述端射水平极化层(1)包括第一介质基片(11)、辐射器(12)。

5.根据权利要求4所述的一种平面端射圆极化天线,其特征在于,所述端射水平极化层(1)与微带功分器(4)构成Vivaldi天线结构。

6.根据权利要求5所述的一种平面端射圆极化天线,其特征在于,所述微带功分器(4)位于所述第一介质基片(11)的顶部;所述辐射器(12)一面连接第一介质基片(11)的底部,另一面连接端射垂直极化层(2)。

7.根据权利要求4所述的一种平面端射圆极化天线,其特征在于,所述端射水平极化层(1)还包括第一地板(13);所述第一介质基片(11)、辐射器(12)、第一地板(13)以及微带功分器(3)构成微带八木天线结构。

8.根据权利要求7所述的一种平面端射圆极化天线,其特征在于,所述微带功分器(4)、辐射器(12)位于第一介质基片(11)的顶部;所述第一地板(13)一面连接第一介质基片(11)的底部,另一面连接端射垂直极化层(2)。

9.根据权利要求1-8任意一项所述的一种平面端射圆极化天线,其特征在于,所述端射垂直极化层(2)包括第二地板(21)、第二介质基片(22)、金属化过孔(23)。所述金属化过孔(23)嵌入第二介质基板(22)内形成SIW传输线,所述第二地板(21)位于所述第二介质基片(22)底部。

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