[发明专利]一种用于VB法InP单晶生长的单晶炉在审

专利信息
申请号: 202011026521.6 申请日: 2020-09-25
公开(公告)号: CN112195518A 公开(公告)日: 2021-01-08
发明(设计)人: 罗福敏;胡昌勇;李勇 申请(专利权)人: 威科赛乐微电子股份有限公司
主分类号: C30B29/40 分类号: C30B29/40;C30B11/00
代理公司: 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 代理人: 张晨
地址: 404040 重庆*** 国省代码: 重庆;50
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摘要:
搜索关键词: 一种 用于 vb inp 生长 单晶炉
【权利要求书】:

1.一种用于VB法InP单晶生长的单晶炉,包括单晶炉架和压力容器,所述压力容器安装在单晶炉架上,其特征在于:所述压力容器为两端敞开的中空结构,所述压力容器的一端可拆卸的密封安装有第一法兰,所述压力容器的另一端密封安装有第二法兰,所述第一法兰远离压力容器的一侧设置有第一压板,所述第二法兰远离压力容器的一侧设置有第二压板,所述第一压板与第二压板之间设置有紧固机构;所述压力容器的内壁上固定连接有U型隔板,所述U型隔板将压力容器的内部分隔为加热腔、埚降腔和动力腔;所述加热腔与坩降腔连通,且所述加热腔的直径大于坩降腔的直径,所述加热腔的内壁上固定安装有加热器;所述加热腔内设置有坩埚托,所述坩埚托靠近第一法兰的一端设置有用于安装石英坩埚的凹槽,所述坩埚托的另一端固定连接有支撑杆;所述动力腔内设置有下拉动力机构,所述下拉动力机构上固定连接有连接杆,所述连接杆滑动的穿过U型隔板与支撑杆连接;所述第一法兰上穿设在有通气管,所述通气管的一端与压力容器的加热腔连通,所述通气管的另一端固定连通有开关阀;所述单晶炉架上安装有控制器,所述控制器与加热器和步进电机电连接。

2.根据权利要求1所述的一种用于VB法InP单晶生长的单晶炉,其特征在于:所述紧固机构包括两根主螺杆,所述第一压板和第二压板的两端部均设置有通孔,两根所述主螺杆均滑动的穿设在第一压板和第二压板的通孔内,所述主螺杆的端部上均螺纹连接有紧固螺母。

3.根据权利要求2所述的一种用于VB法InP单晶生长的单晶炉,其特征在于:所述下拉动力机构包括步进电机、第一减速器和第二减速器,所述步进电机与第一减速器之间张紧有皮带,所述第一减速器与第二减速器串联,所述第二减速器的输出杆与连接杆固定连接,所述连接杆上设置有外螺纹,所述支撑杆上设置有第一内螺纹孔,所述连接杆螺纹连接在支撑杆的第一内螺纹孔内。

4.根据权利要求3所述的一种用于VB法InP单晶生长的单晶炉,其特征在于:所述加热器靠近压力容器内壁的一侧设置有连接块,所述连接块内设置有第二内螺纹孔,所述加热容器上开设有与第二内螺纹孔匹配的螺纹通孔,所述第二螺纹孔与连接块的螺纹通孔之间螺纹连接有固定螺杆。

5.根据权利要求4所述的一种用于VB法InP单晶生长的单晶炉,其特征在于:所述压力容器两侧的外壁上均设置有第一耳板和第二耳板,所述第一耳板和第二耳板之间固定连接有连接板,所述连接板的中部嵌入有转动轴承,所述单晶炉架上固定连接有转轴,所述转轴与转动轴承的内圈固定连接。

6.根据权利要求5所述的一种用于VB法InP单晶生长的单晶炉,其特征在于:所述连接板与第一耳板和第二耳板之间固定连接有螺栓。

7.根据权利要求6所述的一种用于VB法InP单晶生长的单晶炉,其特征在于:所述螺纹通孔靠近压力容器外壁的一侧设置有环形凹槽,所述环形凹槽内垫设有第一密封圈。

8.根据权利要求7所述的一种用于VB法InP单晶生长的单晶炉,其特征在于:所述第一法兰和第二法兰与压力容器的端部之间均垫设有第二密封圈。

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