[发明专利]声表面波滤波器及声表面波滤波器用晶片的加工方法

说明书

本申请公开了一种声表面波滤波器及声表面波滤波器用晶片的加工方法，涉及半导体相关技术领域，该声表面波滤波器应用于2GHz～3GHz频段，包括晶片和叉指换能器；晶片具有相对设置的第一面和第二面；第一面被配置为：粗糙度(Ra)介于2～10μm，且粗糙度按照Ra_max‑Ra_min≤0.05分布；第一面的平坦度(TTV)5um；叉指换能器设置在晶片的第二面上；叉指换能器包括作为输入端的第一叉指换能器和作为输出端的第二叉指换能器；第一叉指换能器和第二叉指换能器的电极条的宽度介于0.2～0.35μm。本申请中的声表面波滤波器在晶片的第一面具有大粗糙度的情况下，保证了第一面的平坦度(TTV)5um，且降低了声表面波滤波器的输出杂讯。

技术领域

本申请涉及半导体相关技术领域，尤其涉及一种声表面波滤波器及声表面滤波器用晶片的加工方法。

背景技术

声表面波滤波器包括压电晶片、第一叉指换能器和第二叉指换能器，第一叉指换能器除在压电晶片正面产生表面波外，还会在压电晶片的厚度方向产生体波；当体波传播至压电晶片背面时，因传播介质不同，体波被压电晶片背面反射，第二叉指换能器接收反射波，从而输出杂讯。

目前，降低声表面波滤波器杂讯的方法是利用具有大背部粗糙度的压电晶片。其传统加工方法为：先进行双面研磨，再进行单面减薄及单面抛光。但是，在双面研磨过程中，压电晶片背面平坦度(TTV)较差，正面需增加成本较高的减薄制程以保证正面平坦度(TTV)符合要求。而且，在双面研磨过程中，压电晶片会产生较大损伤层，其破片率较高，为了保证压电晶片的良率，一般会使用较厚的压电晶片。

因此，如何在压电晶片厚度较薄、且具有大背部粗糙度的情况下，使压电晶片满足背面平坦度(TTV＜5um)的品质需求，进而降低声表面波滤波器的输出杂讯，成为本领域亟需解决的问题。

发明内容

本申请的目的是提供一种声表面波滤波器，其能够在晶片厚度较薄、且具有大背部粗糙度的情况下，改善声表面波滤波器的输出杂讯。

本申请的另一目的还在于提供一种声表面滤波器用晶片的加工方法。

第一方面，本申请实施例提供一种声表面波滤波器，应用于2GHz～3GHz频段，包括：

晶片，具有相对设置的第一面和第二面；第一面被配置为：粗糙度(Ra)介于2～10μm，且粗糙度按照Ra_max-Ra_min≤0.05分布；第一面的平坦度(TTV)5um；

叉指换能器，设置在晶片的第二面上；叉指换能器包括作为输入端的第一叉指换能器和作为输出端的第二叉指换能器；第一叉指换能器和第二叉指换能器的电极条宽介于0.2～0.35μm。在一种可能的实施方案中，第一面被配置为凹凸结构，该凹凸结构的最大高度(Rt)与粗糙度(Ra)的比值介于3～9。

在一种可能的实施方案中，晶片包括压电晶片，该压电晶片包括钽酸锂晶片、铌酸锂晶片。

在一种可能的实施方案中，晶片为36°Y～46°Y钽酸锂单晶。

在一种可能的实施方案中，晶片的厚度介于150～250μm。

第二面，本申请实施例提供一种声表面波滤波器用晶片的加工方法，晶片包括相对设置的第一面和第二面，该加工方法包括：

使晶片的第一面与研磨面接触，固定第二面；

驱动晶片移动并使研磨面对第一面进行研磨；晶片沿正弦曲线轨迹运动；在第一面的研磨量达到预定值后，停止对晶片的驱动。