[发明专利]阵列基板、显示面板、显示装置和制作方法在审
申请号: | 202011019932.2 | 申请日: | 2020-09-25 |
公开(公告)号: | CN112151555A | 公开(公告)日: | 2020-12-29 |
发明(设计)人: | 刘宁;张大成;许程;马丹阳;倪柳松;刘军 | 申请(专利权)人: | 合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;H01L27/32 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 金俊姬 |
地址: | 230012 *** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 显示 面板 显示装置 制作方法 | ||
1.一种阵列基板,其中,包括:
衬底基板;
有源层,位于所述衬底基板的一侧,所述有源层包括:沟道区,位于所述沟道区一侧的导体化源区,以及位于所述沟道区另一侧的导体化漏区;
金属层,位于所述有源层的背离所述衬底基板的一侧,所述金属层包括同层设置的栅极和信号线,所述栅极在垂直于所述衬底基板的厚度小于所述信号线在垂直于所述衬底基板的厚度。
2.如权利要求1所述的阵列基板,其中,所述阵列基板还包括:
栅极绝缘层,位于所述有源层与所述金属层之间,所述栅极绝缘层包括:第一绝缘部和第二绝缘部,所述第一绝缘部包括与所述栅极重合的第一重合部,以及由所述第一重合部延伸出的第一外延部,所述第二绝缘部包括与所述信号线重合的第二重合部,以及由所述第二重合部延伸出的第二外延部,所述第一外延部在第一方向上的长度大于所述第二外延部在垂直于所述信号线延伸方向上的长度,所述第一方向为所述导体化源区、所述导体化漏区中的一者指向另一者的方向。
3.如权利要求2所述的阵列基板,其中,所述金属层包括叠层设置的第一金属层和所述第二金属层,所述第二金属层位于所述第一金属层的背离所述栅极绝缘层的一侧;
在垂直于所述衬底基板的方向上,所述栅极的厚度与所述第二金属层的厚度相同,所述信号线的厚度与所述第一金属层和所述第二金属层的厚度之和相同。
4.如权利要求3所述的阵列基板,其中,在垂直于所述衬底基板的方向上,所述第一金属层的厚度小于所述第二金属层的厚度。
5.如权利要求1-4任一项所述的阵列基板,其中,所述第一外延部在第一方向上的长度,与所述第二外延部在垂直于所述信号线延伸方向上的长度差值为0.1微米~1微米。
6.如权利要求1所述的阵列基板,其中,所述信号线包括以下之一或组合:
栅线;
电源线;
触控引线。
7.如权利要求1所述的阵列基板,其中,所述阵列基板还包括:位于所述衬底基板与所述有源层之间的缓冲层,位于所述缓冲层与所述衬底基板之间的遮光层,其中,所述遮光层在所述衬底基板的正投影覆盖所述有源层在所述衬底基板的正投影。
8.如权利要求7所述的阵列基板,其中,所述阵列基板还包括位于所述金属层的背离所述栅极绝缘层一侧的层间介质层,以及位于所述层间介质层的背离所述金属层一侧的源漏极层,所述源漏极层包括源极和漏极;
所述漏极通过贯穿所述层间介质层的第一通孔与所述导体化漏区导通,所述源极通过贯穿所述层间介质层的第二通孔与所述导体化源极导通,并通过贯穿所述层间介质层、所述缓冲层的第三通孔与所述遮光层导通。
9.如权利要求8所述的阵列基板,其中,所述阵列基板还包括位于所述源漏极层的背离所述层间介质层一侧的钝化层。
10.一种显示面板,其中,包括如权利要求1-9任一项所述的阵列基板。
11.一种显示装置,其中,包括如权利要求10所述的显示面板。
12.一种阵列基板的制作方法,其中,包括:
在衬底基板之上形成有源层;
在所述有源层的背离所述衬底基板的一侧形成在第一区域厚度小于在第二区域厚度的金属层,其中,所述第一区域为形成栅极的区域,所述第二区域为形成信号线的区域。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的