[发明专利]混频器、增益调节方法及无线通信装置在审

专利信息
申请号: 202011019246.5 申请日: 2020-09-24
公开(公告)号: CN112152584A 公开(公告)日: 2020-12-29
发明(设计)人: 何力 申请(专利权)人: 中科威发半导体(苏州)有限公司
主分类号: H03H7/40 分类号: H03H7/40
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 215021 江苏省苏州市工业园区*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 混频器 增益 调节 方法 无线通信 装置
【权利要求书】:

1.一种混频器,其特征在于,包括:

混频核心电路,其被配置为接入直流电流源并接收射频输入信号,对射频输入信号和本振信号进行混频以产生经混频的中低频输出信号;

增益调节级电路,其耦合至所述混频核心电路,并调节所述混频器的增益;所述增益调节级电路包括多个相互并联连接的MOS管,每个所述MOS管的栅极均接入控制其导通或截止的电平控制信号。

2.根据权利要求1所述的混频器,其特征在于,所述混频核心电路包括接入同一所述直流电流源的输入级电路和负载级电路、以及电连接于所述输入级电路和所述负载级电路之间的频率转换级电路,所述输入级电路同时接入所述射频输入信号,所述负载级电路输出所述中低频输出信号,所述频率转换级电路接收所述本振信号。

3.根据权利要求2所述的混频器,其特征在于,所述混频核心电路还包括跨导级电路,所述跨导级电路电连接于所述输入级电路和所述频率转换级电路之间,并实现电流信号与电压信号的转换。

4.根据权利要求3所述的混频器,其特征在于,所述输入级电路包括PMOS管Mp,所述PMOS管Mp的栅极连接所述射频输入信号,其源极连接所述直流电流源,其漏极连接所述跨导级电路;

所述跨导级电路包括共栅连接的第一NMOS管M1和第二NMOS管M2,所述NMOS管M1的栅极和漏极接于一起,所述NMOS管M2漏极与所述频率转换级电路连接,所述NMOS管M1和所述NMOS管M2的源极均接地。

5.根据权利要求4所述的混频器,其特征在于,所述增益调节级电路包括第一增益调节级电路,所述第一增益调节级电路包括与所述第二NMOS管M2并联的n个第一调节单元,每个所述第一调节单元均包括相互串联的第三NMOS管和第一开关MOS管,每个所述第三NMOS管均与所述第一NMOS管M1共栅连接,每个所述开关MOS管的均接入控制其导通或截止的电平控制信号,其中n为不小于1的正整数。

6.根据权利要求2所述的混频器,其特征在于,所述增益调节级电路包括第二增益调节级电路,所述第二增益调节级电路电连接于所述输入级电路和所述负载级电路之间,所述第二增益调节级电路包括m个相互并联的第二调节单元,每个所述第二调节单元均包括第二开关MOS管,每个所述第二开关MOS管均接入控制其导通或截止的电平控制信号,其中m为不小于1的正整数。

7.根据权利要求2所述的混频器,其特征在于,所述负载级电路包括电阻Rl,所述电阻Rl一端连接所述直流电流源,另一端接入由跨导级电路输出的中低频电流信号,并将中低频电流信号转换成中低频电压信号后输出。

8.一种混频器的增益调节方法,应用于权利要求1所述的混频器中,其特征在于,包括如下步骤:

所述混频核心电路接入直流电流源和射频输入信号;

所述混频核心电路接入本振信号,将射频输入信号与本振信号进行调制混频,输出中低频输出信号;

控制输入每个所述MOS管栅极的电平控制信号的高低,调节所述混频器的增益。

9.一种无线通信装置,其特征在于,包括权利要求1~7中任一项所述的混频器。

10.根据权利要求9所述的无线通信装置,其特征在于,所述无线通信装置为信号接收机,所述信号接收机包括所述混频器以及处理所述混频器输出的中低频输出信号的后端电路,所述后端电路包括用于对所述中低频输出信号进行滤波去噪声的滤波器。

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