[发明专利]清洗衬底的方法

权利要求书

1.一种用于清洗衬底的方法，其包括：

接纳光罩衬底，其具有经安置于所述光罩衬底的表面上方的多层反射式结构、经安置于所述多层反射式结构上的覆盖层，及吸收器，其中所述光罩衬底具有经安置于所述多层反射式结构的表面上方的多个导电纳米颗粒；

将包括SC1溶液、去离子DI水及臭氧的第一混合物施覆到所述光罩衬底，以移除所述导电纳米颗粒，其中所述第一混合物的温度是在20℃到40℃之间，施覆所述第一混合物的持续时间在6分钟到10分钟之间；

将第二混合物施覆到所述光罩衬底，其中所述第二混合物包括去离子DI水及氢气，其中所述第二混合物的温度是在20℃到40℃之间，施覆所述第二混合物的持续时间在5分钟到15分钟之间；及

施覆DI水以冲洗所述光罩衬底，

其中所述施覆所述第一混合物进一步包括超音速搅动，其中所述第一混合物的流速是在1000ml/min到5000ml/min之间，所述第二混合物的流速是在1000ml/min到3000ml/min之间，其中所述导电纳米颗粒于包括施覆所述第一混合物及施覆所述DI水的持续时间的移除速率大于90％。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述多层反射式结构包括Ru/Si多层反射式结构、Mo/Be多层反射式结构、Mo化合物/Si化合物多层反射式结构、Si/Mo/Ru多层反射式结构、Si/Mo/Ru/Mo多层反射式结构或Si/Ru/Mo/Ru多层反射式结构。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述覆盖层包括含Ru层。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述导电纳米颗粒包括贵金属。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述导电纳米颗粒的大小为1纳米到100纳米级。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述DI水与所述SC1溶液的比为1:1。

7.根据权利要求1所述的方法，进一步包括在所述施覆所述第一混合物与所述施覆所述DI水之间施覆第二混合物到所述光罩衬底，其中所述第二混合物包括DI水及H₂。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述施覆所述第二混合物进一步包括超音速搅动，且所述第二混合物的超音速搅动的频率是在1MHz到10MHz之间。

9.根据权利要求1所述的方法，进一步包括分别在所述施覆所述第一混合物及所述施覆所述DI水之后执行自旋。

10.一种用于清洗衬底的方法，其包括：

接纳光罩衬底，其具有经安置于所述光罩衬底的表面上方的相移层及经安置于所述相移层上的屏蔽层，其中所述光罩衬底具有经安置于所述屏蔽层的表面上方的多个导电纳米颗粒；

将包括SC1溶液、去离子DI水及臭氧的第一混合物施覆到所述衬底以移除所述导电纳米颗粒，其中所述第一混合物的温度是在20℃到40℃之间，施覆所述第一混合物的持续时间在6分钟到10分钟之间；

将第二混合物施覆到所述光罩衬底，其中所述第二混合物包括去离子DI水及氢气，其中所述第二混合物的温度是在20℃到40℃之间，施覆所述第二混合物的持续时间在5分钟到15分钟之间；及

施覆DI水以冲洗所述光罩衬底，

其中所述施覆所述第一混合物进一步包括超音速搅动，其中所述第一混合物的流速是在1000ml/min到5000ml/min之间，所述第二混合物的流速是在1000ml/min到3000ml/min之间，

其中所述导电纳米颗粒于包括施覆所述第一混合物及施覆所述DI水的持续时间的移除速率大于90％。

11.根据权利要求10所述的方法，其中所述相移层包括硅化钼、硅化钼氮化物、硅化钼氮氧化物、氮化钛、硅化钽氮化物或氮化硅。

12.根据权利要求10所述的方法，其中所述屏蔽层包括铬、氧化铬、氮化铬及氮氧化铬。